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幾種主流MOSFET驅(qū)動電路的分析

　　開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標。一個好的MOSFET驅(qū)動電路的要求是：　　(1)開關(guān)管開通瞬時,驅(qū)動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩; 　　(2)開關(guān)管導通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定使可靠導通; 　　(3)關(guān)斷
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET 驅(qū)動電路

從USB獲得高效的雙軌電源

　　設計5V以外電源的小功率USB電路時，您必須確定是使用獨立電池，還是使用來自主機的小型電源。如果電路需要大于5V的雙軌電源(如采用了基于運放的儀表放大器)，或必須用于便攜計算機如筆記本電腦上，則問題就更復雜了。　　USB2.0標準規(guī)定了對連接設備的功率要求，即耗電最大100mA，視為小功率;耗電最大500mA，則視為大功率。本文所述電路原用于一個熱致發(fā)光(TL)儀器設計，設計中的微控制器、USB接口控制器，以及10個運放均作為小功率器件，從一個USB端口獲得全部電源。　　設備的運行需要有高性能
關(guān)鍵字： USB 雙軌電源 MOSFET

麥瑞半導體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器以應對電池供電工具的技術(shù)改進

　　高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業(yè)領導者麥瑞半導體公司 (Micrel, Inc.) 今天推出一款 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器 MIC4606，該驅(qū)動器具有自適應停滯時間和擊穿保護功能。這款元件是麥瑞半導體最初于2013年推出的極其成功的 85V MOSFET 驅(qū)動器系列的成員，專注于滿足多種應用不斷增長的電力需求。85V MIC4606 系列是麥瑞半導體為滿足電池供電的工具、不間斷電源、無線電控制的玩具和不斷增長的無人機市場的需求而實施的策略的一部分。MIC
關(guān)鍵字：麥瑞半導體公司 MOSFET MIC4606

德州儀器高電壓轉(zhuǎn)換開關(guān)助力常通電智能電表及家庭自動化實現(xiàn)節(jié)能設計

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、業(yè)界最低靜態(tài)電流的700V轉(zhuǎn)換開關(guān)，其功耗是現(xiàn)有解決方案的一半，這進一步壯大了 TI 面向離線AC/DC設計的高電壓電源解決方案陣營。該UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高電壓電流電源，可幫助輸出電流高達100mA的常通電非隔離式電源系統(tǒng)提升整體能源效率，且充分滿足智能電表、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。如欲了解更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。　　TI高電壓電源
關(guān)鍵字：德州儀器 AC/DC MOSFET

盤點關(guān)于開關(guān)電源設計的經(jīng)典問答題

　　如何為開關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)? 　　很多未使用過開關(guān)電源設計的工程師會對它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔心開關(guān)電源的干擾問題、PCB layout問題、元器件的參數(shù)和類型選擇問題等。其實只要了解了，使用開關(guān)電源設計還是非常方便的。　　一個開關(guān)電源一般包含有開關(guān)電源控制器和輸出兩部分，有些控制器會將MOSFET集成到芯片中去，這樣使用就更簡單了，也簡化了PCB設計，但是設計的靈活性就減少了一些。　　開關(guān)控制器基本上就是一個閉環(huán)的反饋控制系統(tǒng)，所以一般都會有一個反饋輸出電壓的采樣電路以及
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 PCB MOSFET

4μA IQ 熱插拔控制器保護電池免受電壓和電流故障損壞

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部 N 溝道 MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。器件在正常工作時靜態(tài)電流僅為 4µA，在停機模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作，欠壓和過壓阻性分壓器連接至一個選通接地，
關(guān)鍵字：凌力爾特 MOSFET LTC4231

英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車級電機控制集成芯片

　　摘要：本文介紹了常見的幾種在汽車車身上的電機應用，包括直流有刷電機控制，有霍爾/無霍爾直流無刷電機控制和永磁同步電機控制，不論是哪一種電機控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。　　引言　　隨著電機在汽車上的廣泛應用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統(tǒng)的電動油泵、電動水泵和散熱風扇由繼電器控制直流電機的開通或者關(guān)斷，不能進行調(diào)速，在怠速狀況時電機仍然高速運轉(zhuǎn)，如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機或者三相電機，則可以在不同的工況
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM 電機控制 MOSFET 微控制器 201409

如何成為一個優(yōu)秀的硬件設計師

　　啟動一個硬件開發(fā)項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應用軟件部門的功能實現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統(tǒng)的設計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組，他們在實際當中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡處理器，然后還
關(guān)鍵字：硬件設計 Linear MOSFET

超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。　　計算機、工業(yè)及電信領域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設計出盡可能小的外形尺寸?，F(xiàn)在，設計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時實現(xiàn)高效率、低導通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時還可
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝 NexFET

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應用設定業(yè)界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
關(guān)鍵字：宜普 EPC MOSFET

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器

具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字：降壓型穩(wěn)壓器負載保護 MOSFET LTM4641 μModule

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。　　使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET

新日本無線變身綜合電子元器件供應商

　　]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。　　記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。　　電子元器件業(yè)務已占贏收85% 　　縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器

IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]