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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。 新控制器通過以這種方式驅(qū)動MOSFET，同時提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
- 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動。 注： ·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。 ·[2]Qoss：輸出電荷。 主要特性 &m
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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。
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聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購一空
- 8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。 過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機導(dǎo)入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。 此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。 包括指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對 MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言，要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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IR的電池保護MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD
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意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。 MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器成功登陸彗星
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。 在歷經(jīng)10多年，長達(dá)60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
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單相正弦波逆變電源
- 摘要：本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進調(diào)整。以MSP430單片機為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護以及自恢復(fù)功能。 引言 本次競賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊在兩天時間內(nèi)完成題
- 關(guān)鍵字： 正弦波 MSP430 單片機 SPWM MOSFET 201412
基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計
- 引言 在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因為其應(yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財政補貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費者。 所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
- 關(guān)鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計
- 大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏
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同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源
- 1、 概述 2、 基本同步整流電路 如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器T1原邊繞組的勵磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵磁電流的作用下原邊勵磁電感Lm與電容
- 關(guān)鍵字： DC-DC 整流 MOSFET
你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧
- MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]
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