<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實現(xiàn)高級IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet

mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器

高級半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)，于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
關(guān)鍵字：瑞薩 MCU MOSFET

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴展到39m?～600m?，將最高電流等級擴展至7A～73A。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Intersil擴展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動器產(chǎn)品系列

全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機驅(qū)動應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅(qū)動器

功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計

摘要：對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響，并通過仿真和試
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動變壓器設(shè)計

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅固ORing控制器

全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET ISL6146

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
關(guān)鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
關(guān)鍵字：恩智浦 LFPAK56D MOSFET

意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求，瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。
關(guān)鍵字：意法晶體管 MOSFET LED

如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
關(guān)鍵字： MOSFET

估算熱插拔MOSFET溫升的簡易方法

本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。通
關(guān)鍵字： MOSFET 熱插拔方法

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù)表分析

飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細(xì)介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護(hù)與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時，我們?yōu)槟榻B了一種框架
關(guān)鍵字： PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導(dǎo)體、德州儀器、TI

共1257條 51/84 |‹ « 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

mosfet研討會推薦

如何設(shè)計出滿足云計算和5G等應(yīng)用的高能效、高容量化、小型化且穩(wěn)定可靠的不間斷電源(UPS)
使用多物理場仿真優(yōu)化半導(dǎo)體器件性能
驅(qū)動效率-汽車功率 MOSFET熱設(shè)計指南
英飛凌 600V/700V/800V CoolMOS? P7 產(chǎn)品介紹

mosfet電路

12W場效應(yīng)管音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
圖騰柱無橋PFC電路的工作原理及仿真分析
一文詳解同步與非同步Buck電源

mosfet相關(guān)帖子

從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹
MOSFET廠商匯總
深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet
WAYON維安工程師筆記MOSFET驅(qū)動振蕩那些事
MOSFET應(yīng)用解析：柵極驅(qū)動振蕩，如何解決？
開關(guān)電源中MOSFET失效案例分析
[模擬電子技術(shù)]―MOSFET總結(jié)（1）

mosfet資料下載

TOSHIBA東芝TPH1500CNH產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
TOSHIBA東芝TPN11003NL產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
Toshiba東芝TPH3R704PC MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書
WAYON維安工程師筆記 MOSFET 驅(qū)動振蕩那些事
MOSFET 應(yīng)用解析：柵極驅(qū)動振蕩，如何解決？
MOSFET管芯溫度估算
Toshiba東芝N溝道MOSFET SSM6N44FE產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
什么是MOSFET？MOSFET的應(yīng)用電路

mosfet視頻

從柵極驅(qū)動器到功率MOSFET，經(jīng)過驗證的SiC轉(zhuǎn)換器解決方案
ROHM碳化硅評估板試用

mosfet專欄文章

相關(guān)主題

MOSFET-90N10　 MOSFET　功率MOSFET　集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）　 VD-MOSFET　 JFET-MOSFET　 IGBT/MOSFET　 MOSFET-driver　

熱門主題

VD-MOSFET JFET-MOSFET IGBT/MOSFET MOSFET-driver 樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();