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結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

詳細(xì)介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

汽車上許多組建的多元應(yīng)用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動(dòng)馬達(dá)，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計(jì)人員為了增加車上電子
關(guān)鍵字： MOSFET 詳細(xì)介紹如何運(yùn)用安全系統(tǒng)

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時(shí)電壓檢測同步MOSFET控制方案

標(biāo)簽：電源諧振轉(zhuǎn)換器高壓電源直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對(duì)環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費(fèi)電子產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字：同步 MOSFET 控制方案檢測電壓電源轉(zhuǎn)換效率定時(shí)

MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡介

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關(guān)鍵字： MOSFET 雙峰效方法

功率器件的新時(shí)代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件汽車電子

用于輔助電路分析的示波器數(shù)學(xué)功能

關(guān)鍵字：數(shù)字示波器數(shù)學(xué)功能輔助電路分析 MOSFET

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算方法

Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA436DJ

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
關(guān)鍵字：高效能 Power MOSFET

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
關(guān)鍵字： MHP技術(shù) 鋰電池電路保護(hù) MOSFET

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗主導(dǎo)參數(shù)

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
關(guān)鍵字：羅姆 MOSFET DC/DC

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

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