- MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性能、...
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TDS3000 示波器 MOSFET
- 據市場研究機構IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應用領域的全球功率半導體市場預計將超過30億美元。
報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。
LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導體市場。市面上具有各種不同的電子設計、要求和規(guī)格的LED燈的產品范圍越來越廣，這也給大
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LED照明 MOSFET
- 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
- 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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MOSFET 功放
- Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
- 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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二維數值 模擬 能力 SEB MOSFET 功率
- 智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術進步。由于各醫(yī)療設備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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MOSFET 醫(yī)療設計 可靠性 性能
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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羅姆 電阻 MOSFET
- 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)系列產品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關和與AC適配器進行電源轉換的電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
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瑞薩電子 MOSFET μPA2812T1L
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求
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飛兆 MOSFET
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 120 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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