mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

采用開關(guān)器件提高PFC效率

在CCMPFC中，通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗，甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損...
關(guān)鍵字：開關(guān) PFC MOSFET

在SMPS應(yīng)用中選擇IGBT和MOSFET的比較

開關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 IGBT MOSFET

飛兆半導(dǎo)體在線設(shè)計(jì)和模擬工具

當(dāng)前，設(shè)計(jì)人員正面臨為各種應(yīng)用產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)反激電路的挑戰(zhàn)，現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強(qiáng)大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設(shè)計(jì)人員無需應(yīng)用指南，也可以像電源專家一樣進(jìn)行“自動化設(shè)計(jì)”、優(yōu)化或“先進(jìn)設(shè)計(jì)”。
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MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

概述　　MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
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理解功率 MOSFET 的電流

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
關(guān)鍵字：電流 MOSFET 功率理解

國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。　　AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個(gè)獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
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集成高壓MOSFET可實(shí)現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款 ...
關(guān)鍵字：集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片

新型MOSFET滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能

現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念，需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 高速開關(guān)

Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
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估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
關(guān)鍵字： MOSFET 瞬態(tài)溫升

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
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滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET

近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計(jì)中采用...
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Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]