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飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET器件
- 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱(chēng)雙MOSFET模塊。
- 關(guān)鍵字： 飛兆 MOSFET FDMS36xxS
IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
- 關(guān)鍵字： IR PQFN MOSFET
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
- 關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET
2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷(xiāo)售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開(kāi)關(guān)。
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)應(yīng)用中大功率器件的五大要素
- 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車(chē)載系統(tǒng)的電氣需...
- 關(guān)鍵字： 混合動(dòng)力 電動(dòng)車(chē) 大功率器件 IGBT MOSFET
2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷(xiāo)售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開(kāi)關(guān)。 去年功率MOSFET在中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，可能主要?dú)w功于中國(guó)政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國(guó)政府推出了一系
- 關(guān)鍵字： MOSFET 無(wú)線通信
Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，如導(dǎo)通電阻、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級(jí)。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進(jìn)行展示，是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富?！?/li>
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標(biāo)準(zhǔn)
- 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
利用DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管 構(gòu)建多功能高精度可編程電流源
- 電路功能與優(yōu)勢(shì) 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳 ...
- 關(guān)鍵字： 實(shí)驗(yàn)室電路 MOSFET 運(yùn)算放大器
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]
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