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功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進展

工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
關(guān)鍵字：功率器件工藝材料 MOSFET

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
關(guān)鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
關(guān)鍵字：大功率開關(guān)電源功率 MOSFET 驅(qū)動

大功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 變換器柵極驅(qū)動

汽車電子功率MOSFET解決方案

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
關(guān)鍵字：電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件

高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET N0413N

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展

從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 MOSFET

IR推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計技巧等。　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
關(guān)鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET

完全自保護MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全
關(guān)鍵字：器件分析功率 MOSFET 保護完全

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR日推出新車用MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR 柵級驅(qū)動 MOSFET

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMC4040SSD

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。　　
關(guān)鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET

說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例

　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
關(guān)鍵字： IC設(shè)計 MOSFET 音頻解碼器

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]