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MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費(fèi)下載！
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來(lái)防止電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流。鋰電池保護(hù)IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。 然而，目前無(wú)論是正向（獨(dú)立開(kāi)發(fā)）還是反向（模仿開(kāi)發(fā)）設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)鋰電池保護(hù)IC由于技術(shù)、工藝的原因，實(shí)際參數(shù)通常都與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計(jì)的IC中尤為突出，因此，測(cè)試鋰電池保護(hù)IC的實(shí)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 鋰電池 模擬技術(shù) 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
TOPSwitch-GX開(kāi)關(guān)電源在牙科X光機(jī)中的應(yīng)用
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時(shí)，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負(fù)載電源管理的設(shè)計(jì)，使得設(shè)計(jì)人員可直接通過(guò)中壓總線(xiàn)(而不依賴(lài)額外的低電壓總線(xiàn))為數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開(kāi)關(guān))DC／DC變換器的效率高達(dá)90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 信號(hào)處理 模擬IC 電源
ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能
- 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶(hù)大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來(lái)了機(jī)會(huì)。 商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開(kāi)發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管 模擬技術(shù) 消費(fèi)電子 意法半導(dǎo)體 照明 消費(fèi)電子
降低高性能CPU電源中的元件成本
- 新處理器對(duì)電源的要求越來(lái)越高，快速的負(fù)載階躍響應(yīng)、嚴(yán)格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關(guān)重要。 同樣的控制器，不同的電感和電容 首先來(lái)看現(xiàn)有的控制器。對(duì)于臺(tái)式計(jì)算機(jī)和一些較大的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，具有最小紋波電流的四相控制器為負(fù)載階躍提供最快速的響應(yīng)。但是，必須有足夠高的開(kāi)關(guān)頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來(lái)響應(yīng)負(fù)載瞬變，還需要MOSFET來(lái)保證低的導(dǎo)通電阻RDSON并且使高頻開(kāi)關(guān)損耗最小。 如果需要提高開(kāi)關(guān)頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應(yīng)，可是大
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 模擬IC 電源 工業(yè)控制
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開(kāi)始。 R2
- 關(guān)鍵字： DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動(dòng)器 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶(hù)可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個(gè)邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓，并提高了每個(gè)輸出（2個(gè)輸出的總輸出電流為6A）的用戶(hù)可編程負(fù)載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護(hù)功能，使其成為為當(dāng)今的小型應(yīng)用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進(jìn)行轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 電源技術(shù) 電源模塊 集成式 降壓穩(wěn)壓器 模擬技術(shù) 雙同步 模塊
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢(shì) 飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機(jī)控制應(yīng)用的新型30/40V器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專(zhuān)為優(yōu)化汽車(chē)應(yīng)用的效率、性能和線(xiàn)路板空間而設(shè)計(jì)，其應(yīng)用包括動(dòng)力轉(zhuǎn)向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī)，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)?？刂破魃a(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶(hù)的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對(duì)功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動(dòng)MOSFET的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因?yàn)樗鼈兡軡M(mǎn)足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
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飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中 節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命 擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
- 關(guān)鍵字： Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機(jī) 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強(qiáng)化型N信道器件，可用于簡(jiǎn)單的線(xiàn)性調(diào)節(jié)器，在起動(dòng)階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴(lài)電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線(xiàn)
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mosfet介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]
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