nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

疫情之下，長江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開帷幕。會(huì)上，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢(shì)的變幻莫測(cè)，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長。從全球市場綜合發(fā)展來看，企業(yè)級(jí)SS
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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降，但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變，首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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國產(chǎn)128層QLC閃存問世武漢基地二期開工

4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲(chǔ)董事長趙偉國介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計(jì)2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營收成長8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%，達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外，自年初起，各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫存水位多已恢復(fù)至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當(dāng)時(shí)的調(diào)查，服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī)，也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
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閃存顆粒哪家強(qiáng)？最新市場排名出爐

來自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規(guī)模達(dá)到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲(chǔ))緊隨其后,營收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報(bào)告稱,一季度
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集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營收成長8.3%

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%，達(dá)136億美元。
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英特爾最新發(fā)展藍(lán)圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進(jìn)度。根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，英特爾的快閃存儲(chǔ)器部門最近公布了發(fā)展藍(lán)圖，在目前其他各家NAND快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當(dāng)下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預(yù)計(jì)在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來自韓國的SK海
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長江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子,想降價(jià)只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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長江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長江存儲(chǔ)市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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