nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時
- 幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級的計劃。當(dāng)然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！ RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預(yù)計將下降 10% 。集邦認(rèn)為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
- 關(guān)鍵字： 閃存 DRAM
IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個強(qiáng)勁的數(shù)字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機(jī)閃存容量也越來越大了，中高端機(jī)中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因為智能手機(jī)出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預(yù)計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?！ 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認(rèn)為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始
- 對于關(guān)注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質(zhì)性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長江存儲正在準(zhǔn)備的第一個訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片?！ ≡谛庐a(chǎn)品方面，長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品?！ 「L江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
- 關(guān)鍵字： 存儲 閃存
中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?！ 《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！ ∧壳?，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！ 〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價
- 據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！ ∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。 有報道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元
- 近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 其中，3D NAND的市場需求，成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
- 關(guān)鍵字： NAND CAPEX
美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實為報復(fù)此前臺灣檢察機(jī)關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟。 該初步禁令禁止美光科技兩中國子公司在中國制造、銷
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DRAM NAND
下半年閃存芯片行情疲軟：SSD價格或持續(xù)下滑
- TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告，稱2018下半年，NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升，市場會處在一種供需平衡的局面，從而自然延續(xù)NAND Flash合同價的下降趨勢?！ 蟾娣Q，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯π酒臄U(kuò)張，以避免價格走到崩盤的
- 關(guān)鍵字： SSD 閃存
2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場大幅下滑
- 在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強(qiáng)勁?！ ‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實上，對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
- 關(guān)鍵字： 無線通訊 NAND
96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒
- 為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案?！ ∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
- 關(guān)鍵字： NAND，芯片
nand 閃存介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand 閃存電路
nand 閃存相關(guān)帖子
nand 閃存資料下載
nand 閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473