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旺宏2017NOR市占達30%，稱霸全球
- 旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠表示，預期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。 就短期來看，盧志遠表示，本季整體需求預估會比去年第四季緩和;雖
- 關鍵字： NOR NAND
3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破
- 由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎設施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經(jīng)濟狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎設施的復雜性?！ ?nbsp; 上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術的一些重大改進，以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡的廣泛應用。當下，一些強大的新技術趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
- 關鍵字： NAND microSD
美光科技推出業(yè)界首款基于領先的64層3D NAND技術構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤
- 美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產(chǎn)品可提供業(yè)界領先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領先的全新 64 層 3D NAND 技術構(gòu)建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務關鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經(jīng)濟實惠的 SATA 平臺。 利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領先的性能及容量，美光 5200 系列提
- 關鍵字： 美光科技 NAND
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 DRAM無新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能，頂多就
- 關鍵字： DRAM NAND
Linux驅(qū)動之Nand Flash四問，原理、工作方式都包含了
- Nand Flash 是一個存儲芯片?！ ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù)，把數(shù)據(jù)B寫到地址A” 問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線，怎么傳輸?shù)刂? 答：在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，當ALE為高電平時傳輸?shù)氖堑刂贰 ?：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！ 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù)，又傳輸?shù)刂?，也傳輸命令 當ALE為高
- 關鍵字： Linux Nand
ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
- 關鍵字： Nand-Flash eMMC
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
- 關鍵字： DRAM NAND
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調(diào)降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關鍵字： DRAM NAND
nand 閃存介紹
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