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          三星內(nèi)存閃存工廠剛著火 鎧俠閃存廠又傳火警:損失還在統(tǒng)計中

          • 2020年伊始,三星位于韓國華城的多座晶圓廠遭遇意外斷電,在UPS電源的支持下只停了三分鐘,已經(jīng)夠讓存儲芯片行業(yè)擔(dān)心受怕了?,F(xiàn)在第二大閃存廠鎧俠工廠又出事了,這次又是火災(zāi),官方表示損失情況還在統(tǒng)計中。據(jù)報道,1月7日,鎧俠位于日本四日市的Fab 6晶圓廠傳出火警,著火地點是在工廠的無塵室,火災(zāi)被迅速撲滅,但是存在無塵室暫時無法運行的可能,這也會導(dǎo)致東芝的閃存生產(chǎn)受到影響。鎧俠官方已經(jīng)證實了這次火災(zāi),昨天發(fā)表公告稱火災(zāi)導(dǎo)致的損害情況還在統(tǒng)計中,對于客戶的供貨情況還在統(tǒng)計中。這次出事的Fab 6晶圓廠在201
          • 關(guān)鍵字: 閃存  火災(zāi)  鎧俠  

          三星工廠發(fā)生意外斷電:損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

          • 本周三,三星電子對外確認,部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時停車,原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點位于三星華城工業(yè)園,波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉,此次意外是因為當?shù)剌旊娋€纜問題造成,預(yù)計產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時間。三星在聲明中稱,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右,算不上重大。有分析人士認為,此次停車將減少三星的芯片庫存,作為最大的存儲芯片制造上,會否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判,明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

          三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師:對清庫存是重大利好

          • 在內(nèi)存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段,三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事,大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故,不少人會心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃,這次事件最大的問題在于三星損失多嚴重,對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看,三星認為事件影響不大,數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響,
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

          三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大?

          • 北京時間2020年1月1日消息,三星電子公司今天表示,在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后,其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示,正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動,并正在評估造成的損失。需要指出的,這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故,雖然停電僅持續(xù)了半小時,但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星當月產(chǎn)量的11%,預(yù)計相當于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后,根據(jù)預(yù)計此次事故造成了
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

          1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%

          • 今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲,擴展性非常好,在非易失性、
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

          內(nèi)存、固態(tài)硬盤價格扛不住了!漲起來

          • 最近一段時間內(nèi),大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎?有購買需求的小伙伴們可以入手了,因為內(nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價了。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  閃存  DRAMeXchange  

          引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

          • 近日,以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平,推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
          • 關(guān)鍵字: QLC  NAND  內(nèi)存  

          SK海力士128層4D NAND出樣

          • 近日消息 根據(jù)guru3D的報道,隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展,固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來,SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
          • 關(guān)鍵字: SK  4D NAND  128層  

          長江存儲64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達到6萬片:或明年上馬128層

          • 在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。紫光旗下的長江存儲(YMTC)于今年三季度官方宣布,開始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存,容量256Gb,TLC芯片。外界預(yù)計,初期的月產(chǎn)能在5000片左右。來自業(yè)內(nèi)分析人士最新爆料稱,長江存儲的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產(chǎn)能提高到6萬片。不過,接受采訪時,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華未對產(chǎn)能數(shù)據(jù)予以確認,表示暫不能透露詳情,包括下一代更先進產(chǎn)品的研發(fā)計劃。有報道猜測,長江存儲可能會跳過96層堆棧,預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 閃存  TLC  閃存紫光  長江存儲  

          長江存儲64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達到6萬片:明年上馬128層

          • 在被美日韓掌控的存儲芯片市場上,終于有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報道,今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn)64層堆棧3D閃存,容量256Gb,TLC芯片,初期的月產(chǎn)能僅有5000片。最新消息稱,長江存儲的64層3D閃存芯片將在年底前將月產(chǎn)能提高到6萬片。不過,接受采訪時,長江存儲副總裁、聯(lián)合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數(shù)據(jù)詳情包括下一代更先進產(chǎn)品的研發(fā)計劃。有報道指出,長江存儲預(yù)計最早明年初投產(chǎn)128層堆棧3D閃存,可能會采用第二代Xtacking架
          • 關(guān)鍵字: 閃存  TLC閃存  紫光  長江存儲  

          紫光國微否認整合長江存儲 也無意進入閃存芯片制造業(yè)務(wù)

          • 隨著紫光旗下的長江存儲在8月底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,國產(chǎn)存儲器芯片已經(jīng)嶄露頭角,結(jié)束了存儲芯片國產(chǎn)率0%的尷尬。目前紫光集團下面有多個公司設(shè)計存儲芯片業(yè)務(wù),定位有沖突的可能,不過紫光國微已經(jīng)否認了整合長江存儲的可能性。日前在投資者互動平臺上,有投資者詢問了紫光國微是否會整合長江存儲,但紫光國微方面表態(tài)謹慎,稱“長江存儲設(shè)立時,為避免潛在的同業(yè)競爭,紫光集團承諾,在本公司未來規(guī)劃發(fā)展存儲器芯片制造業(yè)務(wù)時,有權(quán)對長江存儲進行產(chǎn)業(yè)整合。鑒于紫光集團在存儲器領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局,公司目前沒有計劃涉足存儲器芯片制造業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 閃存  內(nèi)存顆粒  

          PLC SSD要來了!機械硬盤的末日要到了?

          • 現(xiàn)在市面上主流的SSD都是TLC顆粒,相比以前的SLC和MLC顆粒在擦寫壽命和穩(wěn)定性上會差不少,但是好處是SSD容量可以越做越大,也越來越親民,現(xiàn)在SSD 1元1GB已經(jīng)成為了常態(tài)價。
          • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  閃存  PLC SSD  

          中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

          • 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          東芝開始研究5bit PLC閃存顆粒

          • 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道,東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存,以及PLC的NAND開發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  5bit PLC  閃存  

          紫光國產(chǎn)64層3D閃存正式亮相:Xstacking堆棧 256Gb核心

          • 在今天召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上,紫光集團展出了旗下芯片及云計算等領(lǐng)域的最新進展,其中首次公開展出了旗下長江存儲研發(fā)的64層堆棧3D閃存,采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu),核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上,長江存儲去年就小規(guī)模量
          • 關(guān)鍵字: 閃存  長江存儲  
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          nand 閃存介紹

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