nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言　　隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話(huà)、mp3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用 ...
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Spansion公司發(fā)布2012年第三季度財(cái)報(bào)

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前發(fā)布截至2012年9月30日第三財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存

　　提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“宏力半導(dǎo)體”)與國(guó)內(nèi)主要的智能卡設(shè)計(jì)公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過(guò)2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來(lái)0.38平方微米的閃存存儲(chǔ)單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡(jiǎn)介

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡(jiǎn)介,簡(jiǎn)介嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器。閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU程序代碼
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閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),簡(jiǎn)介　　嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿(mǎn)足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器。　　閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU
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賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線(xiàn)控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲(chǔ)器。
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蘋(píng)果和亞馬遜從閃存上賺了我們多少錢(qián)?

?　　蘋(píng)果的iPad和亞馬遜的KindleFire除了在外觀和給人的第一印象有著諸多不同，還有這一個(gè)很重要的差異：為了獲得更大的儲(chǔ)存容量，用戶(hù)需要支付的金額不同。盡管如此，無(wú)論是蘋(píng)果還是亞馬遜都將從中獲取了暴利，這也是他們利潤(rùn)的最大組成部分。
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Spansion NOR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)美光

　　Spansion的NOR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)美光，為2009年以來(lái)首次. 第二季度總體NOR營(yíng)業(yè)收入達(dá)到8.37億美元. 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入內(nèi)存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，一度破產(chǎn)的Spansion第二季度在多個(gè)與內(nèi)存相關(guān)的領(lǐng)域展現(xiàn)實(shí)力，其N(xiāo)OR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)業(yè)內(nèi)龍頭廠商美光，為三年來(lái)首次。　　美國(guó)Spansion第二季度營(yíng)業(yè)收入高于預(yù)期，從第一季度的2.19億美元增長(zhǎng)到2.33億美元。這是Spansion自2009年第一季度以來(lái)首次在業(yè)內(nèi)營(yíng)業(yè)收入排名中位居第一，而原來(lái)的龍頭美
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基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)簡(jiǎn)介

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶(hù)有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使用一個(gè)較低版本的固件，從而會(huì)使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個(gè)不支持的指定設(shè)備。在如今競(jìng)爭(zhēng)激烈
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基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)方案

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND FLASH存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫(xiě)應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND FLASH的讀、寫(xiě)、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFL
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LSI全新Nytro MegaRAID(R)加速卡性能提高47倍

LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出 PCIe(R)閃存 LSI(R) Nytro(TM) MegaRAID(R)卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡(jiǎn)單、透明和低成本的應(yīng)用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的獨(dú)特之處在于采用領(lǐng)先的 LSI 雙核片上 RAID(ROC)技術(shù)，將 PCIe 閃存技術(shù)、智能緩存軟件與企業(yè) RAID 數(shù)據(jù)保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合。
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在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng)

在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應(yīng)用最廣的一個(gè)日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機(jī)制，不需要馬上對(duì)擦寫(xiě)越界的塊進(jìn)行擦寫(xiě)，而只需要將其設(shè)置一個(gè)標(biāo)志，標(biāo)明為臟塊，當(dāng)可用的塊數(shù)不足時(shí)，垃圾回收機(jī)制才開(kāi)始回收這些節(jié)點(diǎn)。同時(shí)，由
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基于浮柵技術(shù)的閃存介紹

基于浮柵技術(shù)的閃存介紹,　恒憶
　　圖. 1 對(duì)一個(gè)閃存晶體管進(jìn)行寫(xiě)操作　　浮柵內(nèi)的電子會(huì)提高晶體管的閾值電壓;在單級(jí)閃存單元內(nèi)，這相當(dāng)于一個(gè)存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)字“0”的存儲(chǔ)單元?！　?　　圖2 在完成寫(xiě)操作后閾值電壓被偏移　　
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閃存與控制器結(jié)合美光挑戰(zhàn)SSD技術(shù)高峰

　　在閃存業(yè)務(wù)方面若想獲得成功，你需要結(jié)合閃存產(chǎn)品和控制器技術(shù)，美光表示這兩樣，它都具備。　　半導(dǎo)體制造商美光已經(jīng)一定的閃存基礎(chǔ)，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經(jīng)被戴爾服務(wù)器使用。　　美光想要傳達(dá)的主要信息是，閃存技術(shù)將會(huì)變得更加復(fù)雜，需要緊密地集成控制器
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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

　為了適應(yīng)下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量?jī)H有0.6克。

　　三星表示，新一代芯片將會(huì)包括16GB，32GB以及64GB等三個(gè)版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
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