nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

鴻利會(huì)稱2013智能機(jī)成閃存最大消費(fèi)者

據(jù)媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli預(yù)期，2013年手機(jī)將成為全球最大的閃存消費(fèi)產(chǎn)品，這主要得益于智能手機(jī)在全球技術(shù)市場(chǎng)中地位的日益凸顯。　　目前，市場(chǎng)上有大量產(chǎn)品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機(jī)閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
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世界最快閃存有顆“武漢芯”

　　不到兩個(gè)指甲蓋大小的芯片，內(nèi)存達(dá)8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長(zhǎng)唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。　　“我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，往前推進(jìn)?！眲倓偮男挛錆h新芯CEO的楊士寧說(shuō)，“我們?yōu)槊绹?guó)公司生產(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存?！? 　　此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬(wàn)片的12
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2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。
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LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績(jī)

LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績(jī)以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績(jī)。
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NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì)

NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì),引言

　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash
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Microchip小巧靈活的8位閃存單片機(jī)解決方案

Microchip公司的小型低引腳數(shù)閃存PIC 單片機(jī)具有小巧靈活的特點(diǎn)，為開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程帶來(lái)諸多便利。PIC 系列單片機(jī)采用小型封裝，更適用于對(duì)體積和大小有嚴(yán)格限制的應(yīng)用場(chǎng)合。PIC 單片機(jī)的特點(diǎn)簡(jiǎn)介PIC 單片機(jī)的數(shù)
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基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)上在各類電子產(chǎn)品中被越來(lái)越多的應(yīng)用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)中，與ＰＣ機(jī)上通用Ｗｉｎｄｏ
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半導(dǎo)體需求回溫東芝元旦假期將加班趕工

　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測(cè)器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%

? 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過(guò)，然在NAND Flash原廠持續(xù)對(duì)于零售市場(chǎng)減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢(shì)將持續(xù)至明年1月份。　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營(yíng)運(yùn)沒(méi)有受到影響，現(xiàn)貨價(jià)格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場(chǎng)面觀察，智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來(lái)仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時(shí)特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
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NOR市場(chǎng)仍有可為需找尋平衡點(diǎn)

　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對(duì)外宣稱推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對(duì)在與NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)中處于下風(fēng)的NOR來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一大利好。這一技術(shù)對(duì)NOR閃存的市場(chǎng)發(fā)展會(huì)帶來(lái)怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場(chǎng)格局是否會(huì)發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。　　NOR技術(shù)仍在進(jìn)步　　截至2020年，每個(gè)用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到7臺(tái)左右，實(shí)現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無(wú)縫的設(shè)備間連接。在此過(guò)程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。　　遺憾的是，沒(méi)有任何廠商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。　　不過(guò)還是有個(gè)變通方法
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LSI AIS峰會(huì)變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機(jī)遇

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國(guó)召開(kāi)第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(huì)(AIS)。個(gè)人和企業(yè)使用越來(lái)越多的設(shè)備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內(nèi)容，這個(gè)現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時(shí)給數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
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存儲(chǔ)器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

　　最近半導(dǎo)體廠商第三季度財(cái)報(bào)陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個(gè)季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動(dòng)不止的市場(chǎng)中保持正增長(zhǎng)，未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局將如何演變?為此，《中國(guó)電子報(bào)》記者獨(dú)家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會(huì)成員John Kispert。　　貢獻(xiàn)來(lái)自NOR和新NAND閃存　　談及Spansion增長(zhǎng)的動(dòng)力，John Kispert坦言，業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng)主要是因?yàn)镹O
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在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRA
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