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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財報出爐

          • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商,因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
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          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)

          • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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          復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

          • 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進EEPROM工藝,具備低功耗、
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          英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

          • 【2023 年 4 月 25日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存,助力打造下一代汽車電子電氣(E/E)架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實時的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍,實時應(yīng)用程序的隨機讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強安全性和架構(gòu)靈活性的高級功能。  下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜,并
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  LPDDR  閃存  汽車電子  

          以汽車為目標(biāo),英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

          • IT之家 4 月 23 日消息,隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu),下一代車型的設(shè)計卻在內(nèi)存方面面臨著問題。由于許多原因,傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求,英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起,從而實現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴展性。據(jù)介紹,這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案,并將其應(yīng)用于
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  LPDDR  閃存  

          先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進步

          • 先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
          • 關(guān)鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

          英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

          • 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

          預(yù)估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

          • 即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn),然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢預(yù)估,第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn),TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          2023年內(nèi)存芯片趨勢

          • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續(xù),何時止跌還是未知數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

          群聯(lián):閃存價格便宜,需求倍數(shù)增加中

          • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道,針對市場關(guān)注的存儲產(chǎn)業(yè)景氣,群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示,今年IC設(shè)計很辛苦,不過在原廠賠本賣的狀況下,不認(rèn)為這樣的狀態(tài)會持續(xù)太久,且因為快閃存儲器價格便宜,看到需求倍數(shù)增加中。潘健成表示,現(xiàn)階段原廠做1顆賠2、3顆,這樣的狀況不會太久,可能很快會有公司宣布減產(chǎn),而控制器設(shè)計因為景氣不好停頓了6-9個月,但群聯(lián)在市場好的時候,存了不少冬糧,并且正向看待市場對快閃存儲器需求和應(yīng)用會越用越多,新的制程也會愈來愈多。而據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  閃存  

          告別存儲寒冬,2023全球閃存市場需求將回暖?

          • 3月23日,長江存儲首席運營官程衛(wèi)華對外表示,預(yù)計2023年全球閃存需求將回暖,供需趨于平衡。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對,此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%。進入2023年第一季度,集邦咨詢指出,鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載,西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進減產(chǎn),有機會緩解目前供給過剩的情況,NAND Flash均價跌幅也將收斂至10~15%。經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后,
          • 關(guān)鍵字: 存儲  閃存  

          NAND Flash 大降價,固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待

          • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了,目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對,此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態(tài)
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          內(nèi)存雙雄:市況否極泰來

          • 華邦消費性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          (2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

          • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步。
          • 關(guān)鍵字: 莫大康  半導(dǎo)體  華為  光刻機  NAND  

          存儲器廠商Q1虧損恐難逃

          • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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          nand 閃存介紹

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