nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過 300 層。報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過 SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。
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因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
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基于NAND門的行李安全警報(bào)

在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會(huì)攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會(huì)偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會(huì)用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會(huì)擔(dān)心有人會(huì)割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個(gè)基于 NAND 門的簡易電路。在這個(gè)電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí)，它就會(huì)發(fā)出警報(bào)，這在你乘坐公共汽車或火車時(shí)非常有用，即使在夜間也是如此，因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報(bào)警電路的幫助
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來拐點(diǎn)。
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6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)

據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國市場報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對(duì)手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
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鎧俠宣布運(yùn)營兩個(gè)新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

6月1日，鎧俠宣布開始運(yùn)營兩個(gè)新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）方面的研發(fā)能力。未來，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲(chǔ)技術(shù)，鎧俠還從事其
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DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖

業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
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需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價(jià)齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

據(jù)中國臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

【2023 年 4 月 25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級(jí)功能。下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜，并
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以汽車為目標(biāo)，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu)，下一代車型的設(shè)計(jì)卻在內(nèi)存方面面臨著問題。由于許多原因，傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起，從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應(yīng)用于
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