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	nand 閃存
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          集邦：第四季NAND Flash價格續(xù)跌15～20％
          
                                                            
            
                    	
          • 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
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          • 關鍵字：
                        集邦  NAND Flash                          
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          庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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          • 關鍵字：
                        集邦  DRAM  NAND                          
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          拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產 NAND 閃存
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
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          • 關鍵字：
                        iPhone 14  NAND  長江存儲                          
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          NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據市場研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數(shù)據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
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          • 關鍵字：
                        NAND  內存                          
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          FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶降低整機系統(tǒng)成本，并提升終端的產品競爭力。目前，F(xiàn)ORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產，在智能穿戴、物聯(lián)網模塊、安防監(jiān)控、網絡通訊等領域得到廣泛應用。加量減價，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統(tǒng)存儲容量需求的不同，客
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          • 關鍵字：
                        江波龍  NAND                          
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          三星電子236層NAND閃存預計年內開始生產
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心，負責更先進NAND閃存產品的開發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND  閃存                          
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          業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 半導體行業(yè)十分有趣，同時也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學、制造和創(chuàng)新的極限，以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存技術是我們每天都要應對的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術與率先推出的新產品再攀高峰，借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認為3D NAND技術的領導廠商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術，再次
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          • 關鍵字：
                        美光  232層  NAND                          
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          集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長 
          
                                                            
            
                    	
          • 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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          • 關鍵字：
                        集邦  DRAM  NAND                          
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          美光出貨全球首款232層NAND，進一步鞏固技術領先地位
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領先的創(chuàng)新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據密集型應用提供卓越支持。???美光技術與產品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴展到超過 200 層，
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          • 關鍵字：
                        美光  232層  NAND                          
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          SSD價格還將要大降價：NAND供應過剩
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉，NAND Flash產出及制程轉進持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應鏈的說法，雖然仍
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD  存儲                          
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          鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
          
                                                            
            
                    	
          • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
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          • 關鍵字：
                        SSD  NAND Flash  鎧俠                          
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          潛力無限的汽車存儲芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領半導體發(fā)展新驅動力?！　∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規(guī)模
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          • 關鍵字：
                        北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND                          
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          盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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          • 關鍵字：
                        兆易創(chuàng)新  NAND Flash                          
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          中國DRAM和NAND存儲技術和產業(yè)能趕超韓國嗎?
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據、AIoT的加速
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  3D NAND                          
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          nand 閃存介紹
          
      			
          
		      	
          
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		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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