nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動(dòng)器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲(chǔ)業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補(bǔ)了這部分市場空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號(hào)出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會(huì)，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會(huì)議的內(nèi)容總結(jié)。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲(chǔ)系統(tǒng)市場的復(fù)合年均營收(目前為260億美元)將實(shí)現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨(dú)立混合系
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大陸手機(jī)市場驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國大陸智能型手機(jī)的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機(jī)整機(jī)的競爭上都倍感壓力。
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3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號(hào)干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
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美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲(chǔ)潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲(chǔ)及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動(dòng)。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲(chǔ)類型解決方案的廠商，占據(jù)整個(gè)存儲(chǔ)器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對(duì)機(jī)器、移動(dòng)設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲(chǔ)條、固態(tài)硬盤、NA
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美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲(chǔ)存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會(huì)發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動(dòng)能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
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NAND閃存下一步指向3D架構(gòu)14納米
- 存儲(chǔ)是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。近年來，存儲(chǔ)芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場上的應(yīng)用進(jìn)程是怎樣的?移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的路徑或許會(huì)爭論不休，但是整體方面卻不會(huì)改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲(chǔ)速度、更加節(jié)能以及更低的成本。 2015年手機(jī)存儲(chǔ)市場 著眼用戶體驗(yàn)提升 目前業(yè)界對(duì)于2015年中國智能手機(jī)市場走勢的預(yù)測很多，總的觀點(diǎn)是增長率放緩。當(dāng)
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2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%
- 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺(tái)廠合作大門
- 存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺(tái)廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
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NAND Flash價(jià)格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
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無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場最大增長動(dòng)力
- 2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)3580億美元，較2014年增長5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。 半導(dǎo)體市場的增長動(dòng)力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP，以及超移動(dòng)PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價(jià)方式，而整個(gè)行業(yè)需要消耗假期的過多庫存，因此2015年的半導(dǎo)體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，“由于供應(yīng)短缺，DRAM價(jià)格在2014年基本保持堅(jiān)挺，使之成為2014年增速最
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM NAND
群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場。 群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報(bào)系資料庫 分享 上述私募價(jià)格是采依過去30個(gè)交易日均價(jià)31
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，業(yè)績終于跌回升，營收為52兆韓元，營業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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