nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 1 VxWorks系統(tǒng)的啟動(dòng)流程 嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動(dòng)后會(huì)重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 VxWorks內(nèi)核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲(chǔ)存市場出貨量翻揚(yáng)。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)大 業(yè)界穩(wěn)定機(jī)制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場價(jià)格的大起大落后，全球存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來邁向整合，使得定價(jià)漸趨穩(wěn)定。不過，近來存儲(chǔ)器大廠新帝(SanDisk)接連2季下修預(yù)測數(shù)據(jù)，并歸因于快閃存儲(chǔ)器的價(jià)格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩(wěn)定機(jī)制是否為曇花一現(xiàn)的假象，又或現(xiàn)狀僅是個(gè)別公司所遭遇的瓶頸。 據(jù)Barron's Asia報(bào)導(dǎo)指出，眼下雖然存儲(chǔ)器芯片價(jià)格有所衰退，但許多專家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂觀態(tài)度，認(rèn)為與2014年積弱不振的表現(xiàn)相比，快閃存儲(chǔ)器的市場供需平衡現(xiàn)已漸入佳境，多數(shù)問題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
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3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲(chǔ)存市場出貨量翻揚(yáng)。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日報(bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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Stifel：3D NAND技術(shù)看起來很美好 但成本會(huì)持續(xù)多年居高不下
- 近年來，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計(jì)算機(jī)的標(biāo)配。而隨著SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲(chǔ)空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設(shè)計(jì)相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。 ? 影響利潤的一個(gè)主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復(fù)雜得
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閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。 當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
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閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
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東芝擴(kuò)大符合e ?MMC5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)) e?MMC? 版 5.1[1]標(biāo)準(zhǔn)、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
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東芝：智社會(huì) 人為本，我做到了
- 雖然東芝的宣傳口號是“智社會(huì) 人為本，以科技應(yīng)人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細(xì)觀看東芝強(qiáng)大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導(dǎo)體技術(shù)溫暖你的心”來形容它。因?yàn)闁|芝的很多設(shè)計(jì)確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。 東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司說，中國市場大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量價(jià)為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線來滿足以上兩種市場的需求。 東芝展位 存儲(chǔ)產(chǎn)品解決方案 東
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閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計(jì)劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規(guī)模化商業(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲(chǔ)技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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儲(chǔ)存市場新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待
- 儲(chǔ)存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。 據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲(chǔ)存市場占有率已逐漸流失。 據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報(bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲(chǔ)存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價(jià)比優(yōu)勢更明顯 TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。 三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。 在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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