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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫(xiě)壽命方法
- 在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類(lèi)型的FPGA你了解多少
- 由于航天應(yīng)用對(duì)可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開(kāi)發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運(yùn)行到無(wú)法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢(shì)，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開(kāi)發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
新蘋(píng)效應(yīng) NAND下月涌急單
- 儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，智慧手機(jī)市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋(píng)果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷(xiāo)售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫(kù)存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫(kù)存
- 關(guān)鍵字： NAND 控制晶片
中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了
- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 NAND
東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品
- 東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。 主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(eSSD)： ??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 固態(tài)硬盤(pán)
一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開(kāi)發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí)，MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展， 因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達(dá)上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應(yīng)了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對(duì)于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字： 閃迪 智能手機(jī) NAND
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)
- TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)
- 摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。 市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品，有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。 專(zhuān)注于專(zhuān)用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專(zhuān)用向通用MCU升級(jí)的開(kāi)端 MCU(單片機(jī)，微控制器)一般有通用和專(zhuān)用兩類(lèi)。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī)，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來(lái)襲
- 并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無(wú)法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車(chē)、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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