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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          我國集成電路產(chǎn)業(yè)上市公司大盤點(diǎn)(上)

          •   隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》和千億國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的成立,集成電路產(chǎn)業(yè)熱度逼人,而我國集成電路產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展快速,涌現(xiàn)出一批具備一定國際競爭力的骨干企業(yè),下面小編就為大家一一介紹,看看我國集成電路產(chǎn)業(yè)都有哪些上市企業(yè)。   太極實(shí)業(yè)   無錫市太極實(shí)業(yè)股份有限公司前身為無錫市合成纖維總廠,創(chuàng)立于1987年。通過幾年的發(fā)展,具有相當(dāng)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)實(shí)力。在國內(nèi)有一定知名度和發(fā)展前途的技術(shù)先進(jìn)型企業(yè)。公司先后開發(fā)出花色差別化長絲、丙纖煙用過濾絲束、滌淪簾子線等三大主體產(chǎn)品。1991年被評為中
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  NAND  SanDisk  

          閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人榮獲美國科技成就和創(chuàng)新最高榮譽(yù)

          •   全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司今天公布閃迪聯(lián)合創(chuàng)始人、退休的董事長兼首席執(zhí)行官 Eli Harari 博士因其對閃存技術(shù)研發(fā)和普及的重大貢獻(xiàn)而被美國國家科學(xué)基金會授予國家技術(shù)與創(chuàng)新獎?wù)隆?   美國國家技術(shù)與創(chuàng)新獎?wù)麓砹送七M(jìn)科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步的美國國家最高榮譽(yù),獲獎?wù)邔由钊祟悓κ澜绲恼J(rèn)識和改善人類的生活作出了不可磨滅的貢獻(xiàn)。在美國國家政要和其他獲獎?wù)叩囊娮C下,美國總統(tǒng)奧巴馬于11月20日在白宮舉辦的典禮上授予EliHarari博士該項(xiàng)獎?wù)隆?   25年前,Harari博士與合伙人共同創(chuàng)立了
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          臺內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場

          •   征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內(nèi)存大廠,終于在日本找到了機(jī)會。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  NAND Flash  

          六大NAND Flash廠商:東芝最“吸金”

          •   2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因?yàn)樗顫q勢最猛。
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  東芝  三星  

          美光咬蘋果大單 力成同樂

          •   蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開一波拉貨,力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。   據(jù)了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé),由于測試時
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  iPhone 6  NAND Flash  

          臺IC設(shè)計前3季 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名

          •   IC設(shè)計第3季財報全數(shù)公布完畢,累計前3季,聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元,穩(wěn)居IC設(shè)計每股盈余獲利王,也是稅后凈利獲利王,其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW),前3季每股稅后盈余為13.67元,排名第二,第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW),前3季每股盈余為13.34元,排名第三。   根據(jù)公開資訊站資料顯示,聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計之冠,表現(xiàn)亮眼,顯示行動裝置需求持續(xù)升溫,第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下,相關(guān)廠商營運(yùn)表現(xiàn)都相當(dāng)亮眼,聯(lián)發(fā)科第
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科  觸控IC  FLASH  

          Spansion:eMMC填補(bǔ)市場需求和閃存發(fā)展缺口

          •   昨天,Spansion舉行媒體發(fā)布會,推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級eMMC閃存產(chǎn)品,并向記者介紹了eMMC閃存的市場定位和需求情況。   與其他Spansion產(chǎn)品一樣,這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對嵌入式客戶設(shè)計的,這類客戶通常對于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測試和要求,這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計自己的產(chǎn)品。   據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹,eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲器標(biāo)準(zhǔn),而Spansio
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          下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場將占全球兩成

          •   TrendForce最新研究報告顯示,隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放,GDP成長率呈現(xiàn)高度的成長,所伴隨而來的就是驚人的消費(fèi)潛力,無論是PC、智能型手機(jī)與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示,以2Gb顆粒來換算,2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億,分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。   從DRAM市場來觀察,PC-DRAM在中國市場的消化量已經(jīng)來到15%,內(nèi)需市場的強(qiáng)勁
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  Flash  

          基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

          •   引言   FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別,使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性,對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計,以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。   FLASH的特點(diǎn)   FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory),根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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          全球半導(dǎo)體市況良好 韓廠火熱、日廠躊躇

          •   全球半導(dǎo)體市場第3季,以870億美元創(chuàng)下史上最高營收紀(jì)錄,景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長最多,南韓業(yè)者營收屢創(chuàng)新高,然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長衰退跡象。   據(jù)Digital Times報導(dǎo),日前美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)宣布,第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營收,與前年同期相比成長8.0%,以870億美元創(chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%,也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)在7月預(yù)測的年度成長值6.5%。   SIA CEO Brian C. Toohey表示,第3季半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  

          Spansion 推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品

          •   全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費(fèi)、通信和工業(yè)設(shè)備市場的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度,工作溫度范圍為-40度到+85度,可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。   Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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          OEM需求拉貨動能增溫,第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

          •   第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動下,eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年,NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流,有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世,整體N
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SSD  iPhone6  

          LED產(chǎn)業(yè)推動中國半導(dǎo)體時代的來臨

          •   過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會到中國投資,某些國家的政府對于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國投資都有設(shè)定限制,因此過去國際半導(dǎo)體廠在中國投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè),以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過,這個局面在中國市場打開,中國政府近期又積極招商,宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后,有了重大改變。   英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布,以 15 億美元入股紫光集團(tuán),持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
          • 關(guān)鍵字: AMD  Spansion  NAND  

          中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

          •   中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒,中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā),可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求,使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。   NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域??蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動串行外設(shè)接
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  NAND  

          iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

          •   TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告顯示,蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷,帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支,年成長率高達(dá)22%,成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能,重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是,蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻允氐?寸,向上突破至4.7與5.5寸,在儲存容量與價格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。   DRAMeXchange
          • 關(guān)鍵字: 智能手機(jī)  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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