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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因,供應方面:三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動,華為Mate
          • 關(guān)鍵字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          NAND閃存市場,開始洗牌

          • 最近,鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息,或?qū)⒂诒驹逻_成合并協(xié)議。當初,業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的,畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四,這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下,目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門,與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司,在交換新公司所需數(shù)量的股份后,西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn),其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊,但總部設置在日本,并且股票將在美國和東京證劵交易所上市,采用
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

          • 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
          • 關(guān)鍵字: 三星  第九代  V-NAND  閃存  

          三星將擴建中國西安的NAND芯片工廠

          • 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝,并開始大規(guī)模擴張。據(jù)外媒,三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝,并開始大規(guī)模擴張。報道中稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)236層NAND的設備。此前消息稱,美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備,無需其他許可。據(jù)了解,目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  西安  

          三星西安工廠工藝升級獲批,將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設備

          • 據(jù)悉,三星電子經(jīng)營高層日前做出決定,將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠,為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備,或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地,2014 年開始投產(chǎn),經(jīng) 2020 年擴建二期項目后,目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片,是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地,占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層(第 8 代)NAND 芯片的設備,并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應商嚴格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略,且服務器領域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面,由于原廠及模組廠均積極漲價,促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存,采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量,已在第三季推出促銷,故Client SSD價格沒有
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

          • 10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備,該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
          • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導體設備  

          存儲芯片,果真回暖了

          • 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響,存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%,今年 Q1 NAN
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  DRAM  

          1γ DRAM、321層NAND!存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

          • 盡管由于經(jīng)濟逆風、高通貨膨脹影響,存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言,先進制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗。當前,DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導入EUV
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  存儲  

          消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格

          •  10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預計最快本月新合約便將采用新價格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產(chǎn)量,眼下正試圖推動
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  flash  漲價  

          面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

          • 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務,并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務部的新聞稿顯示,補貼接受者在
          • 關(guān)鍵字: CHIPS法案  韓國半導體  DRAM  NAND  

          集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期

          • IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
          • 關(guān)鍵字: 存儲  DRAM  NAND Flash  

          第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%,預期第三季將成長逾3%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場需求仍低迷,供過于求態(tài)勢延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%,合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%,營收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時也在醞釀漲價,供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數(shù)多,在庫存仍高的情
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          NAND Flash第四季價格有望止跌回升

          • 近日,三星(Samsung)為應對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預估約0~5%。價格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預測,NAND Flash價格反彈會早于DRAM,由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大,銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本,供應商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn),以期帶動價
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

          行業(yè)庫存情況如何?國內(nèi)一存儲廠商回應

          • 近日,存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關(guān)系活動記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況,普冉股份表示,NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康,設計原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時間,各廠商依然會采取適當?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康,行業(yè)格局逐步出清,預計下半年會持續(xù)向好,價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢,公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調(diào),公司將積極地進行戰(zhàn)略盤整,持續(xù)調(diào)整以應對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局,機遇與挑戰(zhàn)并存,公司會充分發(fā)揮公司的
          • 關(guān)鍵字: 存儲  普冉股份  NOR Flash  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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