nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務產(chǎn)量，眼下正試圖推動
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash 漲價
面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務，并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
集邦咨詢：2023Q4 NAND 價格預估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時也在醞釀漲價，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數(shù)多，在庫存仍高的情
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預測，NAND Flash價格反彈會早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續(xù)擴大，銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動價
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
行業(yè)庫存情況如何？國內(nèi)一存儲廠商回應
- 近日，存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關(guān)系活動記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康，設計原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時間，各廠商依然會采取適當?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預計下半年會持續(xù)向好，價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調(diào)，公司將積極地進行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調(diào)整以應對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機遇與挑戰(zhàn)并存，公司會充分發(fā)揮公司的
- 關(guān)鍵字： 存儲 普冉股份 NOR Flash
使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達式。基本邏輯門的真值表：了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子，一個用于輸入，另一個用于輸出。門的輸入是二進制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門
NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當輸入發(fā)生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
- 關(guān)鍵字： NAND NOR門 SR觸發(fā)器
三星明年將升級NAND核心設備供應鏈
- 據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設計實現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù)，會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù)，無法進行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖，并進行了驗證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
因業(yè)務低迷，消息稱三星計劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報報道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負責生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
- 關(guān)鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473