nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
3D NAND，1000層競(jìng)爭(zhēng)加速！
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
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第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴(kuò)大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)及
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營。現(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
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淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效
- 前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過一段時(shí)間連續(xù)工作之后，其功能會(huì)逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
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1年利潤(rùn)暴跌84.9%！三星樂觀 今年業(yè)績(jī)回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開始
- 2月1日消息，存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤(rùn)暴跌84.9%，確實(shí)沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷，尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下，三星全年?duì)I收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤(rùn)為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖，其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止，只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國內(nèi)重量級(jí)NAN
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一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%
- 供應(yīng)商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì)，供應(yīng)鏈人士透露，2024 年 1 月，預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢(shì)，到第二季度，漲幅將達(dá)到 10%。過去幾年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升，導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
- 關(guān)鍵字： NOR Flash
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程?！?兩者在寫之前都要先
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預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
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SSD 正迎來量?jī)r(jià)齊升
- 2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲(chǔ)行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價(jià)格連續(xù)上漲，站在目前的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，雖然從需求端看完全改善還需時(shí)日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應(yīng)已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，自 10 月份以來，現(xiàn)貨市場(chǎng) NAND Flash 價(jià)格指數(shù)漲幅已達(dá) 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價(jià)的第一槍。NAND 大漲價(jià)！近日，全球第四大 NAND Flash 供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對(duì)客戶發(fā)出漲價(jià)通知信。在信中
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
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日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報(bào)道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財(cái)團(tuán)正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財(cái)團(tuán)將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確，帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購貨需求，以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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明年半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場(chǎng)回暖？
- 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測(cè)，認(rèn)為半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)觸底，明年開始半導(dǎo)體將會(huì)加速恢復(fù)增長(zhǎng)。在它的預(yù)測(cè)中，2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導(dǎo)體收入將同比增長(zhǎng) 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報(bào)研究經(jīng)理 Rudy Tor
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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