nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發(fā)出來的存儲(chǔ)技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫和再編程?！?兩者在寫之前都要先
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預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供應(yīng)商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價(jià)格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復(fù)。2024年第一季供應(yīng)商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應(yīng)商產(chǎn)能利用率提早拉升
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SSD 正迎來量?jī)r(jià)齊升
- 2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲(chǔ)行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價(jià)格連續(xù)上漲，站在目前的時(shí)間節(jié)點(diǎn)，雖然從需求端看完全改善還需時(shí)日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應(yīng)已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，自 10 月份以來，現(xiàn)貨市場(chǎng) NAND Flash 價(jià)格指數(shù)漲幅已達(dá) 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價(jià)的第一槍。NAND 大漲價(jià)！近日，全球第四大 NAND Flash 供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對(duì)客戶發(fā)出漲價(jià)通知信。在信中
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(zhǎng) 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
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日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報(bào)道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國(guó)內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財(cái)團(tuán)正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購(gòu)。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財(cái)團(tuán)將從普通股東收購(gòu)剩余股份，將東芝收購(gòu)為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(zhǎng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國(guó)智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲(chǔ)器價(jià)格漲勢(shì)明確，帶動(dòng)買方積極擴(kuò)大購(gòu)貨需求，以建設(shè)安全且相對(duì)低價(jià)的庫(kù)存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫(kù)存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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明年半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場(chǎng)回暖？
- 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對(duì)蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測(cè)，認(rèn)為半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)觸底，明年開始半導(dǎo)體將會(huì)加速恢復(fù)增長(zhǎng)。在它的預(yù)測(cè)中，2023 年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導(dǎo)體收入將同比增長(zhǎng) 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報(bào)研究經(jīng)理 Rudy Tor
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%，上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道，2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
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越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌
- 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報(bào)告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報(bào)告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場(chǎng)恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個(gè)人電腦和計(jì)算機(jī)硬件市場(chǎng)的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲，市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
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一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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兆易創(chuàng)新車規(guī)閃存產(chǎn)品成功應(yīng)用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng)新GD25F128F車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的明然科技國(guó)產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器（CDC）出貨量已超數(shù)萬臺(tái)，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產(chǎn)。在汽車底盤懸架系統(tǒng)等安全性要求較高的場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著兆易創(chuàng)新車規(guī)級(jí)SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗(yàn)證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統(tǒng)被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類，而主動(dòng)式懸架系統(tǒng)能根據(jù)車輛的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)減振器阻尼力，使其更好地適用于當(dāng)前路段，懸架
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
- 在本次展會(huì)上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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SK 海力士
- 韓國(guó)芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個(gè)利潤(rùn)率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強(qiáng)調(diào)了需求的逐步恢復(fù)，以及在今年早些時(shí)候削減資本支出后，計(jì)劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，首席財(cái)務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機(jī)的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動(dòng)了芯片需求。"我們相信，內(nèi)存行業(yè)終于度過了嚴(yán)重的低迷期，正在進(jìn)入全面復(fù)蘇階段"。Kim指出，該公司的目標(biāo)是通過考慮投資效率和
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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