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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新預(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢(xún)?cè)阮A(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出,現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用,其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上,在
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累計(jì)上漲100%還不停!消息稱(chēng)SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱(chēng),SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法,海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調(diào),目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯?chǔ)漲價(jià),三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示,三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁,特別是生
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美光率先量產(chǎn)面向客戶(hù)端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品
- Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn),并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)中出貨。與此同時(shí),美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶(hù)量產(chǎn),并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
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EEPROM 和 flash 這樣講,早就懂了!
- 前幾天看到群里在討論存儲(chǔ)器,有些人一直搞不懂,今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi):RAM 和 ROM。RAM 就不講了,今天主要討論 ROM。rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom,可以自己寫(xiě)入一次,要是寫(xiě)錯(cuò)了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話(huà),為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
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群聯(lián)3月?tīng)I(yíng)收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄
- 近日,存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元,年成長(zhǎng)達(dá)73%,刷新歷史單月?tīng)I(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元,年成長(zhǎng)達(dá)64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率(Bit Growth Rate)也達(dá)80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
- 關(guān)鍵字: 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速
- 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 存儲(chǔ)芯片 鎧俠
3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速!
- 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 集邦咨詢(xún)
第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%,Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WDC)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外,其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購(gòu)量較第一季小幅下滑,但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫(kù)存降低,以及減產(chǎn)效應(yīng)影響,預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。eMMC方面,中國(guó)智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源,由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類(lèi)別產(chǎn)品,中國(guó)模組廠出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿(mǎn)足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴(kuò)大采用模組廠方案,助益中國(guó)模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)及
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展,新任CEO揭曉
- 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后,將保留原名,專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù),并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí),將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱(chēng),現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)?,F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門(mén)成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來(lái)源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何?據(jù)悉,自2021年以來(lái),西部數(shù)據(jù)及
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%:三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢(xún)近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲,預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星(Samsung)增長(zhǎng)幅度最高,主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增加 12%,帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)(SK Group)受惠于價(jià)
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析
淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效
- 前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象,在電子應(yīng)用中,基于環(huán)境、自然等因素,半導(dǎo)體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續(xù)工作之后,其功能會(huì)逐漸喪失,這被稱(chēng)為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái),電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著集成電路的飛速發(fā)展,人們對(duì)電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關(guān)鍵字: 電遷移 半導(dǎo)體失效 世健 Microchip Flash FPGA
1年利潤(rùn)暴跌84.9%!三星樂(lè)觀 今年業(yè)績(jī)回暖:存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始
- 2月1日消息,存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò),全年利潤(rùn)暴跌84.9%,確實(shí)沒(méi)辦法,不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法,2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖,其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止,只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) 三星 鎂光 海力士 NAND
一季度 NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)上漲15%-20%
- 供應(yīng)商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮
- 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢(shì),供應(yīng)鏈人士透露,2024 年 1 月,預(yù)計(jì) NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%,并保持上漲態(tài)勢(shì),到第二季度,漲幅將達(dá)到 10%。過(guò)去幾年,隨著整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的變化,NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟,而供貨商的產(chǎn)能卻在持續(xù)提升,導(dǎo)致當(dāng)年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后,NOR Flash 價(jià)格在 2
- 關(guān)鍵字: NOR Flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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