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2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價格走揚
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現(xiàn)持續(xù)往上。 DRAMeXch
- 關鍵字： NAND TrendForce
為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關鍵字： NAND Flash SK海力士
美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D 二代3D NAND將進入大批量產(chǎn)
- 美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。 據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
- 關鍵字： 美光 NAND
美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
- 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
- 關鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達顛峰 推升SSD價漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 DRAM
- 關鍵字： ?NAND SSD
Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
- 關鍵字： Flash 芯片
[ARM筆記]驅(qū)動對設備的識別過程及實例——NAND Flash
- 驅(qū)動程序識別設備時，有以下兩種方法： (1)驅(qū)動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅(qū)動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設備。 (2)驅(qū)動程序本身沒有設備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設備的信息;加載驅(qū)動程序時，將驅(qū)動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅(qū)動程序來操作這個設備了。 內(nèi)核常使用第二種方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發(fā)板的配置改變時，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
- 關鍵字： NAND 驅(qū)動
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
- 關鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 根據(jù)DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
- 關鍵字： Flash 存儲器
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析
- 在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過
中國存儲三大勢力成形 各自進擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關消息，現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關鍵字： 長江存儲 Flash
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