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鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量
- 近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。 鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年
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面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車失敗：三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械研磨液(CMP)平臺(tái)
- 陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機(jī)械研磨液 (CMP) 平臺(tái)。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體研磨液的需求：能以有競(jìng)爭(zhēng)力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴(yán)格的規(guī)格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導(dǎo)體裝置。 全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)，部分的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應(yīng)用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數(shù)先進(jìn)電子裝置的性能需求。 「生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲(chǔ)項(xiàng)目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數(shù)千名項(xiàng)目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標(biāo)只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國(guó)的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來(lái)最大的外資項(xiàng)目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
- NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò)，加上智能手機(jī)搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營(yíng)運(yùn)受惠，市場(chǎng)預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。 市場(chǎng)指出，上半年非蘋陣營(yíng)智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過(guò)2成。 市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營(yíng)運(yùn)增溫，創(chuàng)見表示，在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價(jià)格爆沖22%
- 因中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng)，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內(nèi)飆漲22%。 報(bào)道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價(jià)格揚(yáng)升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國(guó)調(diào)查公司指出，2016年全球NA
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評(píng)論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來(lái)將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。 64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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