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采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應(yīng)用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
- 關(guān)鍵字： NAND NOR門 SR觸發(fā)器
三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
- 據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲(chǔ)器的起始位置開始存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，會(huì)覆蓋上次存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲(chǔ)。針對(duì)該問題，本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲(chǔ)空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖，并進(jìn)行了驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國(guó)平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續(xù)低迷，業(yè)界猜測(cè)三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì)減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND
基于NAND門的行李安全警報(bào)
- 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會(huì)攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會(huì)偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會(huì)用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會(huì)擔(dān)心有人會(huì)割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個(gè)基于 NAND 門的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時(shí)，它就會(huì)發(fā)出警報(bào)，這在你乘坐公共汽車或火車時(shí)非常有用，即使在夜間也是如此，因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報(bào)警電路的幫助
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門
6月中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚(yáng)
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？
- 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲(chǔ)器大廠鎧俠與合作方美國(guó)西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲(chǔ)器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營(yíng)銷的方案等，未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績(jī)低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示，鎧俠
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖
- 業(yè)界對(duì) DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預(yù)期不太樂觀。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購(gòu)動(dòng)能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jī)H微幅環(huán)比增長(zhǎng)2.1%，平均銷售（ASP）單價(jià)季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量?jī)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 主控芯片
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品
- 4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲(chǔ)器
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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