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NAND閃存市場(chǎng)，開始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲(chǔ)企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國(guó)注冊(cè)，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國(guó)和東京證劵交易所上市，采用
- 關(guān)鍵字： NAND
傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴(kuò)建中國(guó)西安的NAND芯片工廠
- 三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱，三星已開始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
三星西安工廠工藝升級(jí)獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定，將升級(jí)位于中國(guó)西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級(jí)已下單采購(gòu)最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存，采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價(jià)格沒有
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 NAND DRAM 半導(dǎo)體設(shè)備
存儲(chǔ)芯片，果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 存儲(chǔ)
消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash 漲價(jià)
面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略
- 面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄，韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
- 關(guān)鍵字： CHIPS法案 韓國(guó)半導(dǎo)體 DRAM NAND
集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開啟增長(zhǎng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DRAM NAND Flash
第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，預(yù)期第三季將成長(zhǎng)逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過于求態(tài)勢(shì)延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價(jià)（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(zhǎng)達(dá)19.9%，合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過于求態(tài)勢(shì)有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫(kù)存仍高的情
- 關(guān)鍵字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫(kù)存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì)早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營(yíng)運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型，即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此，在這些基本邏輯門的幫助下，我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達(dá)式?；具壿嬮T的真值表：了解每個(gè)邏輯門的功能對(duì)熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門：這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡(jiǎn)單的一種。該邏輯門只有兩個(gè)端子，一個(gè)用于輸入，另一個(gè)用于輸出。門的輸入是二進(jìn)制數(shù)，即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反，也就是說，如果輸入端為 1，則輸出端為 0，反之亦然?？赡艹霈F(xiàn)的級(jí)數(shù)由 2a 計(jì)
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門
NAND 原廠過夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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