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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
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安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用

　　2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。　　這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

　　Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。　　這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價(jià)比具有競爭優(yōu)勢(shì)，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
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美國國家半導(dǎo)體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具

　　二零零八年十月二十一日--中國訊 -- 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號(hào)：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時(shí)，該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協(xié)助工程師精簡開關(guān)控制器的設(shè)計(jì)。　　該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個(gè)不同型號(hào)，全部都
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詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路

在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際...
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IR推出25W至500W可擴(kuò)展輸出功率D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)

　　國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出針對(duì)每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設(shè)計(jì)，適用于包括家庭影院設(shè)備、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴(kuò)展性。　　IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)

　　在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。　　從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場。同時(shí)，憑借筆記本電腦
關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管消費(fèi)電子 IC LDO 液晶電視

Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器

　　麥克雷爾公司（Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM）同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項(xiàng)在 MIC23030/1 中實(shí)施的專利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個(gè)1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R）封裝中提供高達(dá)4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM）降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)93
關(guān)鍵字：麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET

安森美半導(dǎo)體與中國領(lǐng)先空調(diào)制造商達(dá)成設(shè)計(jì)協(xié)作

　　高能效電源解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團(tuán)）選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實(shí)現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機(jī)能耗。　　安森美半導(dǎo)體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導(dǎo)體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動(dòng)電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動(dòng)電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
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MagnaChip 為液晶顯示器推出互補(bǔ)型 N-P 通道 MOSFET 系列

　　MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）系列。　　這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計(jì)的 N 通道功率和 P 通道功率互補(bǔ) MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
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基于場效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)

　　1 引言　　長期以來，直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計(jì)算機(jī)在控制領(lǐng)域，高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應(yīng)用，直流電機(jī)得到廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)小型直流電機(jī)的使用需求，各半導(dǎo)體廠商推出了直流電機(jī)控制專用集成電路，構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機(jī)伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求
關(guān)鍵字：直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng) PWM MOSFET

Vishay推出 P通道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。　　日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類器件，目前此類器件又
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PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842

　　PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器,采用臺(tái)積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個(gè)非常靈活的LED驅(qū)動(dòng)器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動(dòng)10個(gè)3瓦的LED，或者30個(gè)1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時(shí)，都能正常工作。因?yàn)槔昧伺_(tái)積
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)器 PAM MOSFET LED 臺(tái)積電

凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET 級(jí)并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強(qiáng)大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達(dá) 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負(fù)載點(diǎn)需求。應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、
關(guān)鍵字：凌力爾特穩(wěn)壓器控制器 MOSFET