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英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件
- 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實現(xiàn)能效目標 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計算機、電信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標上達到業(yè)界領(lǐng)先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
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單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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簡易鋰電池保護IC測試電路的設(shè)計
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機、PDA和數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護電路的設(shè)計中被廣泛采用。 然而，目前無論是正向（獨立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設(shè)計的國產(chǎn)鋰電池保護IC由于技術(shù)、工藝的原因，實際參數(shù)通常都與標準參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護IC的實
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TOPSwitch-GX開關(guān)電源在牙科X光機中的應(yīng)用
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設(shè)計，使得設(shè)計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開關(guān))DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能
- 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應(yīng)用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
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降低高性能CPU電源中的元件成本
- 新處理器對電源的要求越來越高，快速的負載階躍響應(yīng)、嚴格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關(guān)重要。 同樣的控制器，不同的電感和電容 首先來看現(xiàn)有的控制器。對于臺式計算機和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負載階躍提供最快速的響應(yīng)。但是，必須有足夠高的開關(guān)頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來響應(yīng)負載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導(dǎo)通電阻RDSON并且使高頻開關(guān)損耗最小。 如果需要提高開關(guān)頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應(yīng)，可是大
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瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
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Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓，并提高了每個輸出（2個輸出的總輸出電流為6A）的用戶可編程負載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護功能，使其成為為當今的小型應(yīng)用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進行轉(zhuǎn)
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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車電子設(shè)計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導(dǎo)體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機控制應(yīng)用的新型30/40V器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計，其應(yīng)用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動MOSFET的控制器及外接開關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
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Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
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