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          Vishayn通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC可提供2A峰值匯

          • Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動(dòng)器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管,以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓,可適應(yīng)9V~13.2V的寬泛電源電壓范圍,能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1,000pF的負(fù)載。
          • 關(guān)鍵字: IC  MOSFET  Vishayn  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  

          ROHM株式會(huì)社小型大功率封裝MOSFET MPT6

          • 4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社(總社設(shè)在京都市)最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝,是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社(茨城縣)進(jìn)行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  MPT6  ROHM  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  封裝  

          ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

          • ROHM株式會(huì)社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用的「MPT6 Dual(2元件)」型系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝,低導(dǎo)通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社(茨城縣)進(jìn)行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) 
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  ROHM  消費(fèi)電子  封裝  消費(fèi)電子  

          帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

          •   Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器,輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓,可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié),并且總輸出電流高達(dá)6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的,降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。   ISL65426的獨(dú)特電源模塊架構(gòu)允許對(duì)6個(gè)電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配,以便支持4個(gè)輸出配置選項(xiàng)之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  雙同步降壓穩(wěn)壓器  

          ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3

          • ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET,它可通過(guò)獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載,如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對(duì)過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護(hù)功能,可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示,無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  ZXMS6002/3  工業(yè)控制  工業(yè)控制  

          Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET

          •   Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET,它可通過(guò)獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。   最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載,如電燈、電機(jī)及電磁鐵。   ZXMS6002G具有針對(duì)過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護(hù)功能,可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  Zetex  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  封裝  

          飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET,這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì),可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù),這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐;FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  單片機(jī)  飛兆  嵌入式系統(tǒng)  

          RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

          • 摘    要:本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線,設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點(diǎn),并提出了解決方案。關(guān)鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結(jié)構(gòu);制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
          • 關(guān)鍵字: LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術(shù)  功率  模擬技術(shù)  器件結(jié)構(gòu)  制造工藝  

          擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: LDO  IC  MOSFET  

          Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動(dòng)操作

          •   模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。   這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(兩者均為SOT23封裝)。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能,可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  Zetex  超低柵極驅(qū)動(dòng)  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  

          飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

          • 能夠驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中高達(dá) 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成, 為設(shè)計(jì)人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員,宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  單片機(jī)  飛兆半導(dǎo)體  光隔離  嵌入式系統(tǒng)  柵極驅(qū)動(dòng)器  

          常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

          • 傳統(tǒng)上,開關(guān)電源(SMPS)是用一個(gè)基本的模擬控制環(huán)路來(lái)實(shí)現(xiàn)的,但數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
          • 關(guān)鍵字: 反饋  MOSFET  驅(qū)動(dòng)  

          智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  汽車  
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