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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1，該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí)，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收高達(dá)
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器模擬IC

FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器概述

關(guān)鍵字： FAN3XXX MOSFET 低端驅(qū)動(dòng)器

可測(cè)試低電流電源的簡(jiǎn)單雙恒流載荷

當(dāng)今的小型家電，如洗碗機(jī)、烘干機(jī)、電爐等用開(kāi)關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對(duì)這些電流從50mA~1A的電源進(jìn)行了測(cè)試，一般使用電阻或標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)成的電負(fù)載。工程師會(huì)使用各種大功率電阻來(lái)檢驗(yàn)多種負(fù)載條件以滿足合適的設(shè)計(jì)。多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的電負(fù)載都是針對(duì)平均300W功率的。在測(cè)量50mA ~ 300mA電流時(shí)，顯示結(jié)果并不準(zhǔn)確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡(jiǎn)單雙恒流負(fù)載設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)可以利用廉價(jià)的通用元件來(lái)構(gòu)建電路。負(fù)載電流流過(guò)MOSFET和一個(gè) 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運(yùn)算放大器放大器

飛兆半導(dǎo)體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng)，獲評(píng)審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動(dòng)器加MOSFET功率級(jí)解決方案FDMF8700。飛兆半導(dǎo)體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎(jiǎng)項(xiàng)。 FDMF8700將驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)功率MOSFET集成在一個(gè)節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子飛兆半導(dǎo)體 FDMF8700 MOSFET 消費(fèi)電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護(hù)，較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機(jī))的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長(zhǎng)寶貴的電池壽命。它們還提供堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù)，較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET ESD 模擬IC 電源

電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。　　電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對(duì)現(xiàn)代通訊、電子儀器、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國(guó)防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動(dòng)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

高速M(fèi)OSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南

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關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機(jī)等通過(guò)電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。　　對(duì)于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計(jì)時(shí)的負(fù)擔(dān)。　　新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車電子

高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計(jì)算

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC

如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗

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關(guān)鍵字： MOSFET

功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體

飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體嵌入式系統(tǒng)

Fairchild推出互補(bǔ)型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計(jì)

飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電燈驅(qū)動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
關(guān)鍵字： Fairchild LCD設(shè)計(jì) MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD