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nxe:3800e euv 文章 進(jìn)入nxe:3800e euv技術(shù)社區(qū)
EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)
- 為進(jìn)一步提升在中國(guó)市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，6月14日，三星電子在中國(guó)上海召開(kāi) “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國(guó)舉行，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力可見(jiàn)一斑?！ ”敬握搲?，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)部部長(zhǎng)、副社長(zhǎng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊(duì)，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級(jí)為獨(dú)立業(yè)務(wù)部門(mén)一年來(lái)的發(fā)展成果，以及未來(lái)發(fā)展路線(xiàn)圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計(jì)劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線(xiàn)圖，
- 關(guān)鍵字： EUV，晶圓
進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號(hào)為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場(chǎng)的動(dòng)作，臺(tái)面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身，但臺(tái)面下，已決定采用臺(tái)積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計(jì)量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺(tái)積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時(shí)向蘋(píng)果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺(tái)積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠(chéng)，而面對(duì)高通、蘋(píng)果專(zhuān)利訟訴
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電，EUV
中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過(guò)《瓦森納協(xié)定》的？
- 據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線(xiàn))光刻機(jī)，價(jià)值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí)，必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時(shí)代。今天，中芯國(guó)際方面對(duì)觀察者網(wǎng)表示，對(duì)此事不做評(píng)論。 消息稱(chēng)，這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國(guó)際去年全部?jī)衾麧?rùn)的設(shè)備，將于2019年前交付。 ASML發(fā)言人對(duì)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》表示，該企業(yè)對(duì)包括中國(guó)客戶(hù)在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問(wèn)題…
- 據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。 中芯國(guó)際的首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國(guó)本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購(gòu)買(mǎi)該設(shè)備，以確保
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ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國(guó)EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)
- 載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來(lái)致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí)，EUV的重要性逐漸凸顯出來(lái)，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過(guò)去幾年，家登精密一直專(zhuān)心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績(jī)。未來(lái)，7nm工藝逐漸向5nm升級(jí)，技術(shù)的研究會(huì)越來(lái)越困難
- 關(guān)鍵字： ASML EUV
日媒：三星最高利潤(rùn)背后的危機(jī)感
- 韓國(guó)三星電子2017財(cái)年(截至2017年12月)合并營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)下歷史新高，但其危機(jī)感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)83%，其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍，約合3.5萬(wàn)億日元，顯著依賴(lài)市場(chǎng)行情，因此危機(jī)感增強(qiáng)。3大主要部門(mén)面臨著半導(dǎo)體增長(zhǎng)放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)導(dǎo)下，將智能手機(jī)和電視機(jī)的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財(cái)年將成為試金石。 三星整體的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為53.65萬(wàn)億韓元，時(shí)隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中，半導(dǎo)體部門(mén)的服務(wù)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)銷(xiāo)量堅(jiān)挺，
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV
EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)
- EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過(guò)，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過(guò)，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： EUV 7nm
4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱(chēng)，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來(lái)到極限，無(wú)法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(zhǎng)更短的EUV， 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)
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EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局
- 近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說(shuō)的EUV。他認(rèn)為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對(duì)世界的重要影響。 Peter Leibinger “如果我們無(wú)法實(shí)現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運(yùn)作方式。” 什么是EUV? 極紫外光刻(Ex
- 關(guān)鍵字： TRUMPF EUV
EUV面臨的問(wèn)題和權(quán)衡
- 新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運(yùn)行時(shí)間仍然存在問(wèn)題。 Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段。 如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺(tái)積電相互競(jìng)爭(zhēng)，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
- 關(guān)鍵字： EUV
nxe:3800e euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nxe:3800e euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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