- 在芯片代工領域，臺積電和三星是實力最強勁的兩大巨頭。不過，最近幾年，臺積電的實力要更勝一籌，通過7nm工藝，臺積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網(wǎng)上帶來了一個新消息，5nm EUV成功開發(fā)完成。這對三星而言，算是一個里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說明的是，三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產，今年年初實現(xiàn)量產。最近三星曝光
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三星 EUV 5nm
- 在經(jīng)歷了二十多年的研發(fā)之后，芯片制造商在一項能夠大幅度提升硅片上晶體管密度的技術上壓下了重注，那就是EUV光刻。他們能夠取得成功，日本東京郊區(qū)的一家名為Lasertec小公司功不可沒。
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EUV Lasertec
- 隨著晶片功能愈趨強大，在半導體制程愈趨復雜的情況下，摩爾定律的推進已經(jīng)放緩，以臺積電、三星、英特爾等三大半導體廠目前采用的浸潤式(immersion)微影及多重曝影(multi-patterning)技術來說，若要維持摩爾定律的制程推進速度，晶片成本會呈現(xiàn)等比級數(shù)般飆升。也因此，能夠明顯減少晶片光罩層數(shù)的極紫外光(EUV)微影技術，將可為摩爾定律延命。
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EUV 摩爾定律
- 來自產業(yè)鏈的最新消息稱，臺積電將包攬ASML今年的30臺EUV光刻機中的18臺，加上之前采購的幾臺，臺積電有望在今年3月份啟動7nm EUV的量產，推動7nm在其2019年晶圓銷售中的占比從去年的9%提升到25%。
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臺積電 7nm EUV
- 如何向芯片設計企業(yè)推薦最合適的工藝，芯片設計企業(yè)應該怎么權衡?不久前，在珠海舉行的“2018中國集成電路設計業(yè)年會(ICCAD)”期間，芯原微電子、Cadence南京子公司南京凱鼎電子科技有限公司、UMC(和艦)公司分別介紹了他們的看法。
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芯片 EUV
- 荷蘭光刻機霸主阿斯麥(ASML)公司公布了2018年第四季度及全年業(yè)績報告，而在當天的聲明中，公司CEO彼得·維尼克(Peter Wennink)特別指出，中國對其產品的需求強勁，繼續(xù)看好對中國的出口。
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ASML EUV
- 12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產能。英特爾這次的產能擴張計劃有對應14nm的，但是并不是應急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm
EUV處理器會在這里生產?！ ?018年下半年英特爾忽然出現(xiàn)了14nm產能不足的危機，這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個PC行業(yè)的增長，官方也承認了14nm產能供應短缺，并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴建產能。12月中旬英特爾宣布擴建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產
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英特爾 晶圓 EUV
- 荷蘭當?shù)貢r間1月23日，ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績報告?！ 蟾嬷赋?，去年第四季度凈銷售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%?！ 【唧w來看，ASML指出，DUV光刻業(yè)務中，存儲客戶的需求使得TWINSCAN
NXT:2000i保持著持續(xù)增長。同時ASML也提高了該產品的可靠性，據(jù)了解，上一代產品需要六個月才能達到高可靠性，而該產品僅用了兩個月?！ ∪ツ耆?，ASML凈銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元?！ ≈档米⒁獾氖?，ASML已與尼康簽署了諒解
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EUV ASML
- 用于高端邏輯半導體量產的EUV(Extreme
Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術的未來藍圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術節(jié)點到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個階段向新的技術節(jié)點發(fā)展。 高端邏輯半導體的技術節(jié)點和對應的EUV曝光技術的藍圖?！ ∫簿褪钦f，在EUV曝光技術的開發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產日程時間會大約在2021年，3nm的量產時間大約在2023年。關于更先進的2nm的技術節(jié)點，還處于模糊階段，據(jù)預測，其量產時間最快也是在2026
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ASML EUV
- 日前，有消息稱，比利時研究機構Imec和微影設備制造商ASML計劃成立一座聯(lián)合研究實驗室，共同探索在后3nm邏輯節(jié)點的奈米級元件制造藍圖。此次雙方這項合作是一項為期五年計劃的一部份，分為兩個階段： 首先是開發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術導入量產，包括最新的EUV設備準備就緒?！ ∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤?shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動3nm以后的半導體微縮。 極紫外光(EUV)微影技術 EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
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ASML EUV
- 繼聯(lián)電在2017年進行高階主管大改組，并宣布未來經(jīng)營策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執(zhí)行長Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉而投入在相對成熟的制程服務上?！ ∫隕UV工藝是半導體7nm工藝的關鍵轉折點 眾所周知，目前半導體領域，7nm工藝是一個重要節(jié)點。而7nm工藝是半導體制造工藝引入EUV技術的關鍵轉折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數(shù)量等制造過程，節(jié)省時間和成本?！ 〔贿^引入EU
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三星 EUV
- 全球一號代工廠臺積電宣布了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產。今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術?！ 《酉聛淼牡诙?nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應用EUV，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險、加速投產，也借
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5nm EUV
- 半導體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當龐大的研發(fā)費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實現(xiàn)大規(guī)模量產的第一步。
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三星 EUV 3nm
- 引領技術開發(fā)的少數(shù)芯片制造商認定，極紫外光(EUV)微影技術將在明年使得半導體元件的電晶體密度更進一步向物理極限推進，但才剛失去全球半導體產業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領先;該公司在1990年代末期曾是第一批開始發(fā)展EUV的IC廠商。 曾是電子工程師的市場研究機構Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會在短時間內導入EUV，該公司仍在克服量產10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時會用上EUV更是個大問題。 在此同時，三星(S
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英特爾 EUV
- 業(yè)界領先的特種化學及先進材料解決方案的公司Entegris(納斯達克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術進行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設備制造商之一的ASML密切合作而開發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認證，用于NXE:3400B等產品?！ ‰S著半導體行業(yè)開始更多地使用EUV光刻技術進行先進技術制程的大批量制造(HVM)，對EUV光罩無缺陷的要求比以往任何時候都要嚴格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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