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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)
- 通用汽車(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng)，而這些電池組應(yīng)該不會(huì)有火災(zāi)隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)?！拔覀兊哪繕?biāo)是恢復(fù)并坦率地說超過業(yè)務(wù)指標(biāo)，”雪佛蘭營(yíng)銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會(huì)議上說道。Bolt的復(fù)出計(jì)劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開始）、將在MLB開幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”
- （原標(biāo)題：光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO：不賣EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”）【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國(guó)）的選擇。”日前，荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國(guó)大陸出口EUV光刻機(jī)一事解釋道。他今年1月曾表示，中國(guó)不太可能獨(dú)立復(fù)制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對(duì)，“他們肯定會(huì)嘗試”。觀察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設(shè)備無法向中國(guó)大陸出口，溫彼得自2021年以來曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話美國(guó)政府，對(duì)華出口管制不僅不能阻礙中國(guó)
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ASML：努力向中國(guó)提供一切能夠提供的技術(shù)
- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機(jī)技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(zhǎng)足的進(jìn)步，光刻機(jī)這種核心設(shè)備就要有所突破。而之前美國(guó)通過自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過修改法案等手段一直將光刻機(jī)設(shè)備和技術(shù)限制對(duì)中國(guó)進(jìn)行輸出。但近期光刻機(jī)頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì)盡其所能向中國(guó)市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機(jī)將會(huì)不需要認(rèn)可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機(jī)除此之外，ASML表示在當(dāng)前法律框架之下，他們除了EUV光刻機(jī)無法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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單臺(tái)1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機(jī)
- 據(jù)《連線》雜志報(bào)道，在美國(guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺(tái)單臺(tái)造價(jià)1.5億美元的新機(jī)器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統(tǒng)的組成部分，會(huì)采用一些新技術(shù)來最大限度地減少其使用的光波長(zhǎng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統(tǒng)組件（圖片來自ASML） 要知道，當(dāng)前的EUV機(jī)器已經(jīng)像一輛公共汽車那么大，包含10萬個(gè)零部件和兩公里長(zhǎng)的電纜，運(yùn)輸這些組件需要40個(gè)貨運(yùn)集裝箱、三架貨機(jī)和20輛卡車，能夠買得起這種設(shè)備的公
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阿斯麥的新一代EUV光刻機(jī)：造價(jià)1.5億美元 公共汽車大小
- 9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機(jī)每臺(tái)有公共汽車大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來幾年繼續(xù)縮小?！ ≡谖挥诿绹?guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開始為一臺(tái)機(jī)器制造關(guān)鍵部件，這臺(tái)機(jī)器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?！ ∵@臺(tái)極紫外光刻機(jī)是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺(tái)量產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機(jī)芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入
- 三星、SK海力士及美光確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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為什么ASML加速來華？
- 芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備光刻機(jī)的缺乏，更是成為限制我國(guó)高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國(guó)半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的問題越加明顯，那就是在芯片制造的設(shè)備上，我國(guó)依然受制于人的問題相當(dāng)嚴(yán)重。為什么ASML加速來華？北大教授的發(fā)聲很現(xiàn)實(shí)，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對(duì)手刮目相看，但是沒有臺(tái)積電為其代工生產(chǎn)，沒有屬于中國(guó)自己的高端光刻機(jī)，就等同于一張“紙老虎”。作為中國(guó)大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國(guó)際，因?yàn)闆]有高端光刻機(jī)，至今仍然沒
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三星有意在美國(guó)建5nm EUV芯片廠 巨額投資
- 據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國(guó)得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的小型芯片需求和美國(guó)重振半導(dǎo)體計(jì)劃。該工廠將采用5nm制程，計(jì)劃于今年Q3開工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)耗資180億美元，同時(shí)也是三星電子首次在韓國(guó)之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。去年，臺(tái)積電去宣布將在美國(guó)建設(shè)芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)。最新消息稱，臺(tái)積電管理層目前正在討論，他們?cè)诿绹?guó)的下一座芯片工廠，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶代工芯片。
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阿斯麥已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī) 70%賣給了臺(tái)積電
- 本周一，外媒援引韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部一份有關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略文件報(bào)道稱，光刻機(jī)制造商阿斯麥將投資2.12億美元，在京畿道華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠和培訓(xùn)中心。在報(bào)道阿斯麥將在華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠和培訓(xùn)中心時(shí)，外媒還提到，雖然三星電子、SK海力士已引進(jìn)了阿斯麥生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，但他們獲得的數(shù)量同臺(tái)積電相比，有不小的差距?！ ⊥饷皆趫?bào)道中提到，阿斯麥目前已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，70%是賣給了臺(tái)積電，留給其他廠商的就只有30%。 阿斯麥?zhǔn)悄壳叭蛭ㄒ荒苤圃鞓O紫外光刻機(jī)的廠商，他們已推出了TWIN
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不用EUV光刻機(jī)就搞定類7nm工藝？中芯國(guó)際回應(yīng)
- 做為國(guó)內(nèi)最大也是最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司，中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注，其中7nm及以下節(jié)點(diǎn)非常重要，這還牽涉到EUV光刻機(jī)?！ ∪涨坝泄擅裨诨?dòng)平臺(tái)上詢問，稱有報(bào)道指出中芯國(guó)際不用EUV光刻就攻克了類7nm工藝，要求中芯國(guó)際澄清?！ ?duì)此，中芯國(guó)際表示，公司不針對(duì)傳言進(jìn)行評(píng)論?！ 闹行緡?guó)際官網(wǎng)的介紹來看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來的是N+1、N+2工藝，但沒有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)?！ ≈行緡?guó)際聯(lián)合CEO趙海軍曾表示，經(jīng)過三年的積累，F(xiàn)inFET工藝已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績(jī)，N+1已經(jīng)
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片
- 藍(lán)色巨人出手就是王炸?！ ?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！ 『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！ ?nm晶圓近照 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！ ⊥瑫r(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！ ?shí)際上，I
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ASML澄清與中芯國(guó)際交易EUV與DUV光刻機(jī)一字之差大不同
- 近日，中芯國(guó)際與ASML達(dá)成12億美元交易購(gòu)買晶圓生產(chǎn)設(shè)備的消息引發(fā)關(guān)注。針對(duì)雙方此次合作，有媒體報(bào)道稱“除了EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際幾乎可以買到其他所有型號(hào)的光刻機(jī)?！钡沁@一說法很快被ASML官方澄清，該協(xié)議與DUV光刻技術(shù)的現(xiàn)有協(xié)議相關(guān)?！ 】赡芎芏嗑W(wǎng)友看到這里有點(diǎn)蒙圈，這繞來繞去的到底是玩的什么文字游戲。這里先進(jìn)行一個(gè)小科普，EUV和DUV到底有啥區(qū)別呢？EUV也就是“極深紫外線”的意思，而DUV是“深紫外線”的意思，通過字面就知道EUV看上去就比DUV高級(jí)，實(shí)際上也是如此。 ASML澄清與中
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