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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機模組被LG搶單？坦承錯估CMOS需求
- Sony 24日盤后公布了因熊本強震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測，而熊本強震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響，不過Sony仍預(yù)估今年度營益有望呈現(xiàn)增長，也帶動Sony 25日股價大漲。 根據(jù)嘉實XQ全球贏家系統(tǒng)報價，截至臺北時間25日上午8點18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日圓，稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng)4月21日以來新高水準。 不過全球智能手機成長減速，也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊，Sony也坦承嚴重錯估了使
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道
- 在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴展，不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動，還由支援平臺的進步所推動，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測器技術(shù)的進步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測器很有幫助?！ ‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性
- 在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法。 一、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)。 2、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等?！ ?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。 二、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
- 關(guān)鍵字： 電磁兼容 CMOS
模擬IC與數(shù)字IC異同
- 處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術(shù)類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數(shù)字信號的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來分可分為標準型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進行了較為詳細的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法： 與門和與非門電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設(shè)計D類放大器
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計一個“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當驅(qū)動頻帶有限的揚聲器時頻率
- 關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS
對比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)
- 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門能力、寬動態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來進行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
- 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
什么是TTL電平、CMOS電平？兩者的區(qū)別
- TTL電平信號對于計算機處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區(qū)別?！ ∈裁词荰TL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數(shù)據(jù)表示采用二進制規(guī)定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計算機處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標準技術(shù)?！ TL電平信號對于計算機處理器控制
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報導(dǎo)，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計和電子設(shè)計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
使用CMOS集成電路需要注意的幾個問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題?！ ?、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng)。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
安森美半導(dǎo)體推出先進的1300萬像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過采用其片上PDAF處理，大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
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