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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設(shè)計者實現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展，通過該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務(wù)，利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進的模擬和混合信號電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進的0.35µm CMOS
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ams收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導(dǎo)體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購?fù)瓿珊?，恩智浦公司旗下先進的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下，有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時測量相對濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示：“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為，提高人類對周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設(shè)備獲取這些信息后，我們可以主動高效地
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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進入量產(chǎn)階段，驅(qū)動AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達4倍的每瓦性能
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三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機等設(shè)備方面。采用指紋進行解鎖與支付等功能，比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進一步提高指紋識別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機領(lǐng)域獨領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
三維圖像指紋傳感器問世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來越被廣泛的應(yīng)用在智能手機等設(shè)備方面。采用指紋進行解鎖與支付等功能，比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過傳感器提取的二維圖像，可以通過打印指紋圖案來繞過指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無疑將進一步提高指紋識別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機領(lǐng)域獨領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 圖像指紋傳感器 CMOS
豪威“中國化”對圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來說，是變動比較大的一年。Yole Developpement(以下簡稱Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場今年將達到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢和業(yè)績出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場份額，有在整個智能手機行業(yè)獨領(lǐng)風(fēng)騷之勢。 而索尼的競爭對
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計
- 當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設(shè)計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠(yuǎn)的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應(yīng)用要求，在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號處理電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
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