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          ARM核心板之—電平轉(zhuǎn)換電路(上)

          •   電子工程師在電路設計過程中,經(jīng)常會碰到處理器MCU的I/O電平與模塊的I/O電平不相同的問題,為了保證兩者的正常通信,需要進行電平轉(zhuǎn)換。以下,我們將針對電平轉(zhuǎn)換電路做出詳細的分析。   對于多數(shù)MCU,其引腳基本上是CMOS結構,因此輸入電壓范圍是:高電平不低于0.7VCC,低電平不高于0.3VCC。   但在介紹電平轉(zhuǎn)換電路之前,我們需要先來了解以下幾點:  ?、?解決電平轉(zhuǎn)換問題,最根本的就是要解決電平的兼容問題,而電平兼容原則有兩條:①VOH>VIH②VOL     
          • 關鍵字: ARM  CMOS  MCU  

          基于多傳感器圖像融合的溫度場測試系統(tǒng)

          •   0 引言   發(fā)動機溫度場的測試是指對壁面溫度與高溫燃氣渦輪發(fā)動機燃燒室的熱端部件的測量。發(fā)動機熱端部件的使用壽命的長短與熱端部件溫度場的分布是否均勻有密切關系,因此必須對發(fā)動機溫度場進行準確地測試。   1 研究現(xiàn)狀   目前,國內(nèi)發(fā)動機生產(chǎn)和修理企業(yè)測試發(fā)動機某些零部件的溫度場主要有直接接觸法和人工判讀法。直接接觸法是用熱電偶來直接測試發(fā)動機的零部件溫度,如圖1(a)所示。但用該方法測量誤差大,且只能對某些點的溫度進行測量,不能實現(xiàn)對整個溫度場的測量。人工判讀法是指發(fā)動機生產(chǎn)和修理企業(yè)利用示
          • 關鍵字: CCD  CMOS  PCI  

          智能機事業(yè)扶不起?Sony改押寶CMOS/游戲機

          •   相對于智慧手機事業(yè)的“縮小規(guī)?!辈呗?,Sony對CMOS感測器及游戲機事業(yè)則顯得野心勃勃。
          • 關鍵字: Sony  CMOS  PS4  

          EVG集團為工程襯底和電源器件生產(chǎn)應用推出室溫共價鍵合技術

          •   EVG集團,微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術和半導體市場上領先的晶圓鍵合和光刻設備供應商,今天宣布推出EVG?580 ComBond? - 一款高真空應用的晶圓鍵合系統(tǒng),使得室溫下的導電和無氧化共價鍵合成為可能。這一全新的系統(tǒng)以模塊化平臺為基礎,可以支持大批量制造(HVM)的要求,非常適合不同襯底材料的鍵合工藝,從而使得高性能器件和新應用的出現(xiàn)成為可能,包括:   · 多結太陽能電池   · 硅光子學   · 高真空MEMS封裝   &
          • 關鍵字: EVG  MEMS  CMOS  

          智能門禁的可編程高效節(jié)能電源的設計

          •   入口門禁系統(tǒng)顧名思義就是對出入口通道進行管制的系統(tǒng),它是在傳統(tǒng)的門鎖基礎上發(fā)展而來的。傳統(tǒng)的機械門鎖僅僅是單純的機械裝置,無論結構設計多么合理,材料多么堅固,人們總能用通過各種手段把它打開。在出入人很多的通道(象辦公室,酒店客房)鑰匙的管理很麻煩,鑰匙丟失或人員更換都要把鎖和鑰匙一起更換。為了解決這些問題,就出現(xiàn)了電子磁卡鎖,電子密碼鎖,這兩種鎖的出現(xiàn)從一定程度上提高了人們對出入口通道的管理程度,使通道管理進入了電子時代,但隨著這兩種電子鎖的不斷應用,它們本身的缺陷就逐漸暴露,磁卡鎖的問題是信息容易復
          • 關鍵字: 智能門禁  CMOS  

          基于負載牽引技術的射頻功率放大器設計

          •   射頻功率放大器要輸出一定的功率給負載,利用負載牽引技術可以彈性地找到所需功率的負載點。這里描述了基于負載牽引技術的5.2-GHz WLAN 的功率放大器的設計方法, 采用CMOS 工藝設計了放大電路,接著對該放大電路進行負載牽引,在此基礎上設計輸進輸出匹配網(wǎng)絡,最后使用ADS軟件進行整體仿真,得到了滿足系統(tǒng)指標要求的功率放大器。   功率放大器處于通訊系統(tǒng)中信號發(fā)射機的最末端,用來放大信號,與小信號放大器不同, 它要輸出一定的功率給負載。效率是功率放大器的一個基本指標,就非恒包絡調(diào)制方式而言, 包絡
          • 關鍵字: 功率放大器  CMOS  

          CMOS 放大器的新時代

          •   十多年前,半導體設計與應用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝,因為它可在 80% 的良率下實現(xiàn) 100uV 以下的放大器輸入失調(diào)電壓。當時,Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業(yè)領域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺,但它們很少將其用于實現(xiàn)高性能。   盡管雙極性技術依然盛行,但新型 CMOS 放大器正在以先進的設計技巧、高級的微調(diào)方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。   以往,雙極
          • 關鍵字: CMOS  放大器  

          大聯(lián)大 攻物聯(lián)網(wǎng)添生力軍

          •   IC通路商大聯(lián)大積極擴大物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)及車用市場布局,旗下世平近日再新增代理無線射頻晶片廠RFaxis的主要產(chǎn)品線CMOS RFeIC;由于RFaxis已獲聯(lián)發(fā)科、展訊公板設計的協(xié)力廠商,為大聯(lián)大在亞太市場布局物聯(lián)網(wǎng)增添實力。   RFaxis指出,物聯(lián)網(wǎng)感測器節(jié)點的單價,應該低于1美元才有可能獲得大規(guī)模普及,這意味著傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)或SiGe(矽鍺)無線射頻晶片,幾乎難有任何利潤的空間,而RFaxis所推出的純CMOS的裸片解決方案,不論在封裝規(guī)格、性能與成本等各方面,更符合其價格需求。
          • 關鍵字: 大聯(lián)大  物聯(lián)網(wǎng)  CMOS  

          SK海力士搶攻CIS 引進SoC用12吋晶圓蒸鍍設備

          •   韓系半導體大廠SK海力士(SK Hynix)為量產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS),將引進研究用途系統(tǒng)芯片(SoC)用12吋晶圓蒸鍍設備,吸引業(yè)界關注。CIS為智能型手機相機模塊、醫(yī)學用攝影設備等IT、數(shù)字裝置廣泛使用的非內(nèi)存芯片,近來使用范圍也擴大到車用半導體。   據(jù)南韓MT News報導,SK海力士近來向南韓一半導體設備制造廠采購非內(nèi)存用分區(qū)化學氣相沉積(Space Divided Plasma CVD;SDPCVD)設備。該設備將設置在SK海力士利川工廠研究園區(qū)中,進行CIS研究開發(fā)。   S
          • 關鍵字: 海力士  CMOS  CIS  

          麥瑞半導體與 Silicon Micro Sensors 合作推出同類最佳的百萬像素以太網(wǎng)攝像頭,用于先進駕駛輔助系統(tǒng)和工業(yè)視覺

          •   高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業(yè)領導者麥瑞半導體公司 (Micrel, Inc.)  和先進的光學與微機械傳感器系統(tǒng)制造商 Silicon Micro Systems (SMS) 今天發(fā)布用于汽車和工業(yè)系統(tǒng)的全新 HDR-CMOS 百萬像素以太網(wǎng)攝像頭。這款可投入生產(chǎn)的攝像頭由攝像頭專家 SMS(First Sensor 子公司 Silicon Micro Sensors GmbH)設計和制造,采用了麥瑞半導體獨特的低放射網(wǎng)絡解決方案。   First
          • 關鍵字: 麥瑞半導體  Silicon Micro Sensors  HDR-CMOS  

          是德科技支持臺灣大學高速射頻和毫米波技術中心研發(fā) B4G/5G 技術

          •   是德科技公司日前宣布贊助臺灣大學(NTU)高速射頻與毫米波技術中心的 B4G MIMO 實驗室。是德科技同時參加了揭牌儀式后舉行的 B4G/5G 技術論壇。B4G MIMO 實驗室是臺灣大學高速射頻與毫米波技術中心實施的項目之一,旨在開發(fā)未來 4G 和 5G 移動通信系統(tǒng)的關鍵元器件。   5G 正在逐步成為滿足移動互聯(lián)網(wǎng)使用需求的核心技術,為此臺灣當局主管部門鼓勵學術界開發(fā)未來技術,并號召臺灣大學這所知名學府:1. 建立高速射頻和毫米波技術中心,2. 研究先進技術,3. 進一步推動當?shù)禺a(chǎn)業(yè)發(fā)展。是
          • 關鍵字: 是德科技  B4G  CMOS  

          臺媒:大陸半導體勢力步步緊逼 臺廠受威脅

          • 中國大陸并不以臺灣為假想敵,但是,國內(nèi)的實力是實實在在的,無論從制程、還是手機芯片方面,臺灣都感受到了壓力......
          • 關鍵字: 半導體  集成電路  CMOS  

          基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設計(二)

          •   7.1.3 虹膜外邊緣的確定   (1) 虹膜外邊緣的特征分析   由圖1中所示的虹膜圖像可以看出,虹膜外邊緣的主要特點是:較相對與虹膜內(nèi)邊緣而言,邊緣處灰度變化不是特別明顯,有一小段漸變的區(qū)域。也就是說,虹膜內(nèi)部灰度趨近于一致這個事實,在參考文獻[8]中,介紹的環(huán)量積分算子應該式是一種有效的方法。   即:    ?   (7-10)   (2) 采用環(huán)量積分算子實現(xiàn)虹膜外邊緣的檢測   如上分析,虹膜環(huán)量積分算子是檢測虹膜外邊緣的一種有效手段,為了克服虹膜紋理對環(huán)量線
          • 關鍵字: FPGA  虹膜識別  CMOS  

          基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設計(一)

          •   項目信息   1.項目名稱:基于FPGA的混沌加密虹膜識別系統(tǒng)設計   2.應用領域:工業(yè)控制、科研、醫(yī)療、安檢   3.設計摘要:   基于虹膜的生物識別技術是一種最新的識別技術,通過一定的虹膜識別算法,可以達到十分優(yōu)異的準確性。隨著虹膜識別技術的發(fā)展,它的應用領域越來越寬,不僅在高度機密場所應用,并逐步推廣到機場、銀行、金融、公安、出入境口岸、安全、網(wǎng)絡、電子商務等場合。在研究了虹膜識別算法,即預處理、特征提取和匹配的基礎上,我們設計了一種可便攜使用的基于FPGA的嵌入式虹膜識別系統(tǒng)。本系
          • 關鍵字: FPGA  虹膜識別  CMOS  

          CMOS電路ESD保護結構設計

          •   1 引 言   靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展, CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來越薄,芯片的面積規(guī)模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問題。   2 ESD保護原理   ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
          • 關鍵字: CMOS  ESD  MOS  
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          si-cmos介紹

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