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          淺談設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗ESD的方法

          •   來自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。   在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整PCB布局布線,能夠很好
          • 關(guān)鍵字: PCB  ESD  CMOS  

          基于CMOS圖像傳感器的指紋識(shí)別設(shè)計(jì)

          •   引 言   CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里,體積明顯減小、功耗也大大降低,滿足了對(duì)高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比,CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進(jìn)步和完善,CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時(shí)作為一種PC機(jī)與外圍設(shè)備間的高速通信接口,USB具有許多突出的有點(diǎn): 連接簡便,可熱插拔,無需定位及運(yùn)行安裝
          • 關(guān)鍵字: CMOS  USB  CPLD  

          十個(gè)電荷泵的設(shè)計(jì)方案以及經(jīng)典應(yīng)用案例

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 電荷泵  CMOS  DC-DC  圖像傳感器  鎖相環(huán)芯片  

          一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計(jì)

          •   設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。   目前,全球無線通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進(jìn)程中,無線通信“行業(yè)專網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時(shí)期。我國無線通信行業(yè)專網(wǎng)所用頻點(diǎn)和帶寬種類繁多,其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網(wǎng)使用不同的頻點(diǎn)、射頻帶寬和信號(hào)帶寬,標(biāo)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  射頻無線收發(fā)芯片  RFID   

          東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級(jí)精確度

          •   東京—東芝公司今天宣布,該公司已開發(fā)出一款采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)制造的原型參考時(shí)鐘振蕩器,該振蕩器達(dá)到了全球最高等級(jí)精確度。這款新設(shè)備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器,將為電子設(shè)備的微型化提供支持。   東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項(xiàng)振蕩器技術(shù)。   近年來,對(duì)于作為電子產(chǎn)品復(fù)雜功能來源的電子組件的微型化要求已經(jīng)擴(kuò)及振蕩器,激發(fā)了對(duì)超小型振蕩器的興趣。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  振蕩器  

          英飛凌推出最小的天線調(diào)諧專用開關(guān)

          •   英飛凌科技股份公司針對(duì)射頻前端擴(kuò)大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合,推出一款天線調(diào)諧專用開關(guān)。新款天線調(diào)諧開關(guān)(Aperture tuning)對(duì)提升4G智能手機(jī)和平板電腦的終端用戶體驗(yàn)助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性,在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運(yùn)行中的數(shù)據(jù)率達(dá)到最高水平。BGS1xGN10系列開關(guān)采用市面上最小封裝,這對(duì)新一代智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備等空間受限的應(yīng)用而言至關(guān)重要。此外,該系列進(jìn)一步降低電流消耗,延長此類設(shè)備的待機(jī)和工作時(shí)間。  采用英飛凌射頻CMOS開關(guān)技術(shù)的天線調(diào)諧專用開關(guān)有利于開
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  BGSA14GN10  CMOS  

          英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)最快增速

          •   英飛凌科技股份公司近日宣布,其用于智能電話和平板電腦的射頻開關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關(guān)領(lǐng)先供應(yīng)商之一的地位。預(yù)計(jì),今后數(shù)年,隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段,射頻開關(guān)需求將呈兩位數(shù)增長。  隨著4G/LTE手機(jī)可支持的工作頻段和運(yùn)行模式越來越多,其射頻前端部件設(shè)計(jì)日益復(fù)雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應(yīng)用之外,天線開關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線開關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道,要
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  LTE  CMOS  

          RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

          •   專注于為無線連接和蜂窩移動(dòng)市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布,該公司用于無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)。  RFX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長的無線接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無線基礎(chǔ)設(shè)施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場上
          • 關(guān)鍵字: RFaxis  RF  CMOS  

          一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

          • 1 PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝,適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時(shí)都可選擇三種勵(lì)磁方式(1相勵(lì)磁,2相勵(lì)磁,1-2相勵(lì)磁三種勵(lì)磁方式之一),每相最小的拉電流和灌電流為20mA,它不但可滿足后級(jí)功率放大器的要求,而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路,抗干擾能力很強(qiáng),其原理框圖如圖1所示。 在PMM8713的內(nèi)部電路中,時(shí)鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
          • 關(guān)鍵字: PMM8731  SI-7300  

          德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

          •   在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會(huì)超過200℃,高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝,可以制造出超緊湊型微芯片,這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。   傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫,但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻,但是很難實(shí)現(xiàn)。此外,市場上也存在專門的高溫芯片,但是尺寸過大(最小尺寸也達(dá)1微米)。   IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
          • 關(guān)鍵字: 微芯片  CMOS  

          一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡介

          • 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號(hào)加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管,也就是一個(gè)耗盡型器件,它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
          • 關(guān)鍵字: MOS  CMOS  

          研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動(dòng)設(shè)備性能

          • 當(dāng)平面工藝已經(jīng)無法滿足對(duì)于性能提升的需求時(shí),3D架構(gòu)是業(yè)界首先能想到的提升方式。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  納米  

          卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆

          •   作為專注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子今日宣布,公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。   “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?!弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者,三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?!?   卓勝微電子的GPS
          • 關(guān)鍵字: 卓勝微電子  CMOS  

          卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆

          •   2014年5月5日,作為專注在WiFi,藍(lán)牙,GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。   “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場的領(lǐng)先者,三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。”   卓勝微電子的G
          • 關(guān)鍵字: GPSLNA  卓勝  RF CMOS  

          分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達(dá)21億美元

          •   市場研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測,磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition,STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。   CoughlinAssociates的報(bào)告指出,因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性,MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)模可望由2013年的1.9億美元左右,到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計(jì)為50%。
          • 關(guān)鍵字: MRAM  CMOS  
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