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一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計
- 本文設(shè)計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字： 射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402
一款可實現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計方案
- 隨著筆記本電腦、手機、PDA等移動設(shè)備的普及，對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍，高性能、低成...
- 關(guān)鍵字： CMOS 線性穩(wěn)壓器
美國可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管
- 一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產(chǎn)生高電流。 賓夕法尼亞州立大學(xué)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院以及專業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會議(IEDM)上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現(xiàn)。IEDM會議匯集了全部來自主要芯片公司的代表，是一個廣受認(rèn)可的論壇，用于報告半導(dǎo)體和電子技術(shù)方面取得的突破性進(jìn)展。 芯片制造商正在尋找繼續(xù)縮小晶體管
- 關(guān)鍵字： CMOS 隧道晶體管
Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強型卡扣式功率鋁電容器
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機控制和電源而設(shè)計的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
- 關(guān)鍵字： Vishay 電容器 159 PUL-SI
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