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45納米芯片方興未艾 32納米處理器09年登場
- 中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布，周四公司已經(jīng)對IBM的45納米集成電路制成技術(shù)加以認證。 SMIC說，公司將會采用IBM的CMOS技術(shù)制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠。CMOS，或者說金屬氧化物半導體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。 公司在一次聯(lián)合聲明中表示，IBM技術(shù)將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動電話的元件，以及其他消費設(shè)備。該認證技術(shù)預(yù)期將對SMIC的65納米低端技術(shù)加以補充。 SMIC的總部設(shè)在上海，是中國最大的晶圓制造
- 關(guān)鍵字： 芯片 45納米 CMOS IC 制造制程
數(shù)字電源――一個模擬公司的觀點
- 現(xiàn)在到處都在談?wù)摂?shù)字電源。新成立的公司和已經(jīng)取得牢固地位的半導體廠商都聲稱數(shù)字電源(或者更準確地說，是數(shù)字控制開關(guān)電源管理集成電路)比模擬為主的產(chǎn)品更勝一籌。他們說，新的數(shù)字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過時的模擬開關(guān)穩(wěn)壓器。人們將采用通用的數(shù)字CMOS工藝技術(shù)，而不再需要專有的模擬工藝技術(shù)，同時還將極大地降低成本。電源管理方式即將發(fā)生變化：要么數(shù)字化;要么請走開，別再擋路。 我們先花點時間來琢磨一下這個詞?！皵?shù)字電源”或“數(shù)字控制電源”有幾種不同的含意。最簡單的定義是通過數(shù)
- 關(guān)鍵字： 數(shù)字電源 模擬 CMOS 嵌入式
產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器
- 本設(shè)計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設(shè)備電路，來為音頻電路設(shè)計與調(diào)試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數(shù)字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩(wěn)定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設(shè)計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網(wǎng)絡(luò)以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設(shè)計均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
- 關(guān)鍵字： 正弦波 CMOS 數(shù)字合成器 放大器
CMOS邏輯門電路
- CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結(jié)構(gòu) CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結(jié)構(gòu)是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖
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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝
- 賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng)意價值的講述故事的手段。 OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設(shè)計
- 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設(shè)計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉(zhuǎn)換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應(yīng)的同時，得到普通運放所達不到的高增益。 1 高精度，高速度
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凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計的“H 級”器件
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應(yīng)用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線，有助于在汽車應(yīng)用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確保可靠數(shù)據(jù)傳輸。 凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制，同時其它版本具有接
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意法半導體（ST）芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級
- 意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項先端技術(shù)對于下一代無線局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。 這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數(shù)字數(shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。 ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
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CMOS集成電路設(shè)計中電阻設(shè)計方法的研究
- 討論了集成電路設(shè)計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點、缺點及其不同的作用
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路設(shè)計 電阻 設(shè)計方法
CMOS圖像傳感器中時問延遲積分的實現(xiàn)與優(yōu)化
- 1 引 言 利用高速線掃描攝像機進行監(jiān)控，具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點[1，2]，一般常見的線掃描攝像機，感光器上的每個像素在進行動態(tài)掃描時，每次僅對移動中的物體做一次曝光，而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間，從而增強信號的輸出強度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執(zhí)行器
一種帶有軟啟動的精密CMOS帶隙基準設(shè)計
- 0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結(jié)合工程實際的要求設(shè)計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE
- 關(guān)鍵字： 軟啟動 CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
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