安森美半導體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費類產品和微處理器控制的便攜應用，如手機、個人數字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流，特別結合了工藝與架構，能夠提供快速的客戶反應和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容，或在空載條件下，NCP590都能穩(wěn)定工作。
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模擬技術 電源技術 安森美 CMOS LDO 穩(wěn)壓器 元件 制造
摘要：隨著目前新技術、新工藝的不斷出現，高速單片機的應用越來越廣，對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設計的關鍵點。
關鍵詞：高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計
引 言
隨著單片機的頻率和集成度、單位面積的功率及數字信號速度的不斷提高，而信號的幅度卻不斷降低，原先設計好的、使用很穩(wěn)定的單片機系統(tǒng)，現在可能出現莫名其妙的錯誤，分析原因，又找不出問題所在。另外，由于市場的需求，產品需要采用高速單片
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高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 MCU和嵌入式微處理器
在經歷了一段時間的瘋狂增長之后，CMOS傳感器市場市場終于衰退下來。 最近有報導稱，在CMOS圖象傳感情市場一片頹勢的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應商美光公司正在準備剝離這一業(yè)務。 OmniVision、三星、意法半導體和東芝等CMOS圖象傳感器市場的其它供應商也同樣經歷了一段混亂時期。 ICInsights公司分析師Ro
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消費電子 CMOS 圖象傳感器 美光 消費電子
Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經在65納米(nm) CMOS工藝技術上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術的領導地位，Avago最新一代的工藝技術能夠節(jié)省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識產權(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀錄，現在更以65 nm工藝上經驗證的17 Gbps SerDes性能將
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 安華高科技 65 nm CMOS 嵌入式
這個設計思路展示給大家如何去創(chuàng)建一個可靠、低成本、簡單的電感測試儀。這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信號就是可以驅動輸出端得高低。
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測試 測量 電感 CMOS 緩沖振蕩器 測試測量
日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準產品系列——REF50xx。該系列產品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過程控制，但是也廣泛適用于多種應用，其中包括醫(yī)療儀器、高精度數據采集以及測試與測量等。
REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠為ADC提供精確的電壓基準，而無需額外運放緩沖器。高精度(0.05%最大
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 德州儀器 CMOS 電壓基準 嵌入式
日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關，這些器件將高開關速度與高信號帶寬進行了完美結合，可用于眾多開關應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。
Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關，每個均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個參數是低失真音頻信號開關的理想參數。
所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay SPST CMOS 開關
CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發(fā)展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
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0.18 CMOS 超高速 復接器
富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產用于RF CMOS設備的片上系統(tǒng)（SoC）產品。根據各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產技術相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務。此次聯合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
近年來，電子產品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長電池的使用壽命。CMOS技術可以將包括數字電路和模擬電路的整個系統(tǒng)同時封裝和制造在一個芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開關狀態(tài)，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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CMOS 低電壓 電源技術 模擬技術 運算放大器 模擬IC 電源
在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
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CMOS 電源技術 模擬技術 鎖定電路
目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設備（CCD）圖像傳感器技術已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應用的需要?；跇藴蔆MOS技術的新型圖像傳感器技術以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現出的易集成性在醫(yī)用電子產品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個全新領域，為用戶提供了更多選擇。 從CCD到CMOS：大勢所趨 在過去三十年左右的時間里，CCD技術一直被用于圖像轉換。CCD是一種成熟的技術，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數據的串行傳輸。為
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CMOS 單片機 嵌入式系統(tǒng) 圖形傳感器 醫(yī)療 醫(yī)療電子
過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產品的開發(fā)受到限制?，F在，已經進入消費類屏幕市場的數字微鏡設備以及用于高速機器視覺應用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設備可被有效地用作空間光調制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數字數據。 在傳統(tǒng)光學存儲設備中，數
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CMOS 成像器 單片機 嵌入式系統(tǒng) 數據檢索
摘要: 本文以使用標準CMOS技術和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設計，具有噪聲低和感光度高等特點。這種傳感器已使用標準0.35μm技術和8″晶圓得到生產。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學性能進行了論述。 &nbs
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CMOS X射線 電源技術 晶圓級 模擬技術 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設備診斷類
沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來
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OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術 模擬技術 IC 制造制程
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