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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> si-cmos

          常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理

          • 開關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開信號(hào)的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。 一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)獨(dú)立的模擬開關(guān),每個(gè)模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  模擬開關(guān)  數(shù)控電阻  電阻  電位器  

          ROHM開發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器

          • ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品,推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品,并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」,與低功耗型「BU7231G
          • 關(guān)鍵字: CMOS  ROHM  比較器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  運(yùn)算放大器  模擬IC  電源  

          先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 3G  GSM  TD-SCDMA  收發(fā)器  2G  RF  WCDMA  UMTS  CMOS  HSDPA  LO  IF  LNA  3GPP  

          CISCO_服務(wù)器設(shè)計(jì)中的EMI和SI問題

          •   統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和布線  (以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損)  時(shí)鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù),在驅(qū)動(dòng)器端的時(shí)鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω,然后每條線扇出成一對(duì)線,每條的Z0基本加倍,使信號(hào)反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決,并將走線布到同一層上,管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過測(cè)試驗(yàn)證過的?!   ?yōu)化電源層結(jié)構(gòu),防止電源的電磁輻射影響信號(hào)層  (減小耦合噪聲,△I噪聲,模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise)  在開始
          • 關(guān)鍵字: CISCO  EMI  SI  服務(wù)器  

          移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

          CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

          • CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路,焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地,焊接時(shí)間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑,必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下,不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序,使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材(如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等),應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng),并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

          AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

          •   傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率,可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。   AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇,同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。   新的傳感器以AMI&nb
          • 關(guān)鍵字: 2400dpi  AMIS  CMOS  圖像傳感器  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

          32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

          CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

          • 本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA,但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  多頻  低噪聲  放大器設(shè)計(jì)    

          AM OLED:OLED的“明日之星”

          • 摘要: 本文對(duì)近期平板顯示市場(chǎng)的一些變化,如液晶的大幅降價(jià)對(duì)PMOLED(被動(dòng)式OLED)的沖擊,AMOLED(主動(dòng)式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢(shì)進(jìn)行了概括分析。關(guān)鍵詞: AM OLED;TFT;LTPS;a-Si 目前OLED市場(chǎng)上占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的PM OLED,因局限于中小尺寸顯示屏市場(chǎng),并且在技術(shù)與價(jià)格上與LCD相比優(yōu)勢(shì)不明顯,受LCD降價(jià)沖擊很大,未來并不被業(yè)界看好。相反,AM OLED技術(shù)卻在市場(chǎng)一片叫好聲中,日漸成熟,蓄勢(shì)待發(fā)。三星SDI預(yù)計(jì)在2007年進(jìn)入市場(chǎng),開始大規(guī)
          • 關(guān)鍵字: 0612_A  AM  a-Si  LTPS  OLED  TFT  消費(fèi)電子  雜志_關(guān)注焦點(diǎn)  有機(jī)發(fā)光二極管  OLED  消費(fèi)電子  

          超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

          • 本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析,并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
          • 關(guān)鍵字:   CMOS    TTL    單片機(jī)  

          MCU 中輸入/輸出口的使用

          • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
          • 關(guān)鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  

          基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

          • 引言 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
          • 關(guān)鍵字: CMOS  RF專題  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  射頻  振蕩器  

          集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

          • 集成多路模擬開關(guān)(以下簡(jiǎn)稱多路開關(guān))是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。  關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對(duì)器件自身介紹較多,而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關(guān)的種類,注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  放大器  模擬技術(shù)  模擬開關(guān)  

          ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

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