EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
si-cmos
si-cmos 文章 進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)
一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)
- 引 言 帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 比較器 測(cè)量工具
Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)與爭(zhēng)鋒
- 在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們?cè)谡９ぷ鬟^程中會(huì)在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先，這些器件會(huì)引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會(huì)使線電流失真，引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會(huì)導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小，在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開關(guān)操作非常
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Si 整流器 二極管 元器件用材料
奧地利微電子為代工用戶擴(kuò)展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴(kuò)展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項(xiàng)目晶圓 (MPW) 或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)。該服務(wù)將來自不同用戶的若干設(shè)計(jì)結(jié)合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分?jǐn)偩A和掩膜成本。 RF多項(xiàng)目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺(tái)積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
Akustica CMOS MEMS數(shù)字傳聲器銷售量突破兩百萬大關(guān)
- 益登科技所代理的系統(tǒng)單芯片聲學(xué)系統(tǒng)領(lǐng)先開發(fā)商Akustica日前宣布，其數(shù)字傳聲器產(chǎn)品銷售量已突破兩百萬大關(guān)，這是該公司繼三個(gè)月前突破百萬銷售量后的另一重要里程碑。Akustica自從推出首款和獲獎(jiǎng)的AKU2000數(shù)字傳聲器后，在短短的15個(gè)月內(nèi)就將銷售量增至百萬以上。今天，移動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī)對(duì)高質(zhì)量語(yǔ)音輸入的強(qiáng)勁需求促使Akustica再度推出3款數(shù)字傳聲器，同時(shí)快速提升產(chǎn)能以滿足客戶要求。 A
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 Akustica CMOS MEMS 數(shù)字傳聲器 消費(fèi)電子
In-Stat：圖像傳感器硝煙正濃 CMOS暫居上風(fēng)
- 市場(chǎng)調(diào)研公司In-Stat根據(jù)最近的調(diào)查結(jié)果指出，CMOS圖像傳感器繼續(xù)主宰市場(chǎng)，CCD仍居于下風(fēng)。這與IC Insights的看法相悖。In-Stat表示，盡管在數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但手機(jī)仍然是圖像傳感器的主要市場(chǎng)。據(jù)In-Stat，相機(jī)手機(jī)占全部圖像傳感器出貨量的75%以上。 In-Stat表示，對(duì)相機(jī)手機(jī)的這種旺盛需求，也導(dǎo)致CMOS傳感器的單位出貨量超過CCD傳感器。據(jù)In-Stat
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 圖像傳感器 CMOS 模擬IC 電源 傳感器
Cypress推高速CMOS圖像傳感器LUPA-1300-2
- 賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress)近日發(fā)布了一款高靈敏度、高速SXGA(超級(jí)擴(kuò)展型圖形陣列)分辨率CMOS圖像傳感器的商業(yè)樣品。這款新型130萬像素LUPA-1300-2傳感器是一款提供了觸發(fā)和管線同步快門(pipelinedsynchrounousshutter)和片上數(shù)字LVDS(低壓差分信號(hào))輸出的產(chǎn)品。本產(chǎn)品針對(duì)機(jī)器視覺和運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用而開發(fā)，具備500幀/秒(fps)的高幀頻以及窗口功能，能夠提供無失真圖像并執(zhí)行快速讀出。 LUPA-1300-2的特色包括了一個(gè)全同步面曝光快門，使其能夠于
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 Cypress CMOS 圖像傳感器 音視頻技術(shù)
賽普拉斯推出LVDS輸出的高速SXGC CMOS圖像傳感器
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司近日發(fā)布了一款高靈敏度、高速SXGA(超級(jí)擴(kuò)展型圖形陣列)分辨率CMOS圖像傳感器的商業(yè)樣品。這款新型130萬像素LUPA-1300-2傳感器是業(yè)界第一款提供了觸發(fā)和管線同步快門(pipelined synchrounous shutter)和片上數(shù)字LVDS(低壓差分信號(hào))輸出的產(chǎn)品。本產(chǎn)品針對(duì)機(jī)器視覺和運(yùn)動(dòng)分析應(yīng)用而開發(fā)，具備500幀/秒(fps)的高幀頻以及窗口功能，能夠提供無失真圖像并執(zhí)行快速讀出。 LUPA-1300-2的特色包括了一個(gè)全同步面曝光快門，使其能夠于在拍
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 賽普拉斯 圖像傳感器 CMOS 測(cè)試測(cè)量
CMOS數(shù)字IC的端子不能空置
- 在電路板上，有時(shí)可觸摸到燙手的數(shù)字IC，或發(fā)現(xiàn)數(shù)字IC突然損壞。因?yàn)閿?shù)字IC的功耗很低。出現(xiàn)上述狀況讓人不可思議。 圖1是標(biāo)準(zhǔn)化的CMOS數(shù)字IC輸出級(jí)。不論是在"H"或"L"狀態(tài)，總有一個(gè)輸出管(Q1或Q2)處于關(guān)斷狀態(tài)。但如果輸入電壓vin處于門限值1／2Vdd附近，就可能出現(xiàn)Q1和Q2都導(dǎo)通的狀態(tài)，這時(shí)在IC中將流過較大的電流而發(fā)熱，圖2是CMOS數(shù)字IC輸入電壓和輸出電流的關(guān)系。 如果CMOS數(shù)字IC的
- 關(guān)鍵字： CMOS IC 模擬IC
0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置，其性能指針的好壞對(duì)接收機(jī)整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻(xiàn)[1]，對(duì)于由多級(jí)放大器組成的接收系統(tǒng)，其整機(jī)噪聲系數(shù)基本上取決于前級(jí)放大器的噪聲系數(shù)。典型地，接收機(jī)接收的信號(hào)強(qiáng)度在-120～-20 dBm之間，因而為了滿足系統(tǒng)要求，對(duì)LNA主要有以下要求： (1) 提供合適的增益放大信號(hào)，以減小后續(xù)電路對(duì)系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號(hào)失真。
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) CMOS 低噪聲放大器 放大器
嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術(shù)
- 提出了CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術(shù)，通過設(shè)計(jì)軟件驅(qū)動(dòng)使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動(dòng)采集。
- 關(guān)鍵字： CMOS 嵌入式系統(tǒng) 接口技術(shù) 圖像傳感器
凌力爾特推出CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082，這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個(gè)溫度范圍內(nèi)以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級(jí)，實(shí)現(xiàn)了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時(shí)最大為 1pA 的低輸入偏置電流，非常適用于精密儀器。 LTC6081 和 LTC6082
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 CMOS 運(yùn)算放大器 放大器
射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
- 支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國(guó)無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國(guó)內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝，與此
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
si-cmos介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條si-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)si-cmos的理解，并與今后在此搜索si-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)si-cmos的理解，并與今后在此搜索si-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
si-cmos電路
si-cmos相關(guān)帖子
si-cmos資料下載
si-cmos專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473