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          功率半導(dǎo)體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

          •   與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

          •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號:4100),向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商,&
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

          •   日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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          第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

          • 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下,第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料,然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大,特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺,第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力,于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導(dǎo)體  SiC  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進軍中功率市場。   可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達電技術(shù)長暨總
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          11月8日:ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

          •   ROHM新聞發(fā)布會上,首先宣布最新的第三代SiC技術(shù),包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊,提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉,相比平面(planar)柵型SiC MOSFET,新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%,在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。  ROHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高,用于車前燈。還有LED矩陣控制器,使電路配置更容易、
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          世界各國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

          • 技術(shù)創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視,從國際競爭角度看,美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃,并展開全面戰(zhàn)略部署,欲搶占戰(zhàn)略制高點。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          單片機設(shè)計注意要點

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點:采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
          • 關(guān)鍵字: 單片機  FET  穿通電流  工作頻率  
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