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          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計(jì)算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實(shí)現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實(shí)如果按比例計(jì)算,我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

          • 第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下,第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料,然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,特別是特殊場合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺,第一、二代半導(dǎo)體材料便無能為力,于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導(dǎo)體  SiC  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場。   可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達(dá)電技術(shù)長暨總
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          11月8日:ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

          •   ROHM新聞發(fā)布會上,首先宣布最新的第三代SiC技術(shù),包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊,提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉,相比平面(planar)柵型SiC MOSFET,新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%,在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?! OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高,用于車前燈。還有LED矩陣控制器,使電路配置更容易、
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          世界各國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

          • 技術(shù)創(chuàng)新是推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動力,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視,從國際競爭角度看,美、日、歐等發(fā)達(dá)國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計(jì)劃,并展開全面戰(zhàn)略部署,欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  SiC  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個(gè)R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求,這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  FET  穿通電流  工作頻率  

          GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

          •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

          •   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體   硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導(dǎo)體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。        根據(jù)電流流動的構(gòu)造,可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。   半導(dǎo)體的電流流通原理   (1) N型半導(dǎo)體   圖1是在硅晶
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  

          Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù),開發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動汽車充電器

          •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件,讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。   作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器,ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能,讓Zaptec工程師得以設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  

          SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展

          •   SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域   當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí),整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮,它會有市場嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天,人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實(shí)存在的,而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年,SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元,到2021年,其市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過5.5億美元,這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無懸念,消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導(dǎo)體  
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