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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個機型。 ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET
集邦咨詢：需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長8%?！ 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關鍵字： IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
- 關鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅動電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅動器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
- 關鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢琒iC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。 實際上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
- 關鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產(chǎn)品技術研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產(chǎn)品技術聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)?！ 〗陙?，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
- 關鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
使用SiC技術攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個項目合作方將在技術研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關的內(nèi)容，重點介紹有關SiC技術和封
- 關鍵字： SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，受
- 關鍵字： ROHM SiC
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
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