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電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
- 在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個溫度。
- 關(guān)鍵字： 熱插拔 MOSFET 網(wǎng)絡(luò)
意法半導(dǎo)體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管
- 意法半導(dǎo)體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?！ TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計，同時將頂部的源極曝露在
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應(yīng)
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片。 與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點，使用200毫米(和
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
功率半導(dǎo)體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升
- 與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設(shè)備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)性能，同時，其優(yōu)化的設(shè)計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導(dǎo)通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)同級領(lǐng)先的900V MOSFET管，提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效
- 意法半導(dǎo)體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設(shè)計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性?！ ?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導(dǎo)通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快，在需要寬輸入電壓的應(yīng)用領(lǐng)域，實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
同步整流開關(guān)的功率MOSFET關(guān)鍵特性有哪些
- 高性能轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的同步整流對于低電壓、高電流應(yīng)用（比如服務(wù)器和電信電源）至關(guān)重要，這是因為過將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關(guān)鍵參數(shù)甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導(dǎo)通損耗 二極管整流器的導(dǎo)通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
- 關(guān)鍵字： 功率 MOSFET
為計算應(yīng)用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)
- 功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項強制要求。在某些消費應(yīng)用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設(shè)計的無源元件實現(xiàn)校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會變得相當“笨重”而昂 貴；使用高開關(guān)頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標準實現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進行進一步
- 關(guān)鍵字： 功率 電路 MOSFET
東芝推出具備改進的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進的低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET。“DTMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導(dǎo)通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設(shè)備的備用電源以及LED照明燈
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
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