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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-mosfet

          利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)

          • 利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/source),而每個電流沉/源的大小任意,可能須要針對不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實施即可,電流沉整個反饋部分的重復(fù)進行卻使成本與設(shè)計空間密集化。
          • 關(guān)鍵字: 模擬電路  MOSFET  

          采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

          • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個方波信號,利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相,且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下:
          • 關(guān)鍵字: mosfet  驅(qū)動電路  

          功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

          • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計,功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動電路  mosfet  電路圖  

          MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

          • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時,任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題。控制器 IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
          • 關(guān)鍵字: mosfet  linear  

          在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

          •   摘要  本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明,新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。  前言  市場對開關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限。  寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好,被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中,兼容硅
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  SiC  

          用GaN重新考慮功率密度

          • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時起,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
          • 關(guān)鍵字: mosfet  氮化鎵  pfc  

          什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?

          • 什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
          • 關(guān)鍵字: 整流器  mosfet  二極管  

          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

          • 近年來,SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻,在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比,SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗,可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機構(gòu)的小型化。同時,通過更高頻率的開關(guān)動作,還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見,SiC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  汽車  

          一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢

          •   平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)   圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      圖1:傳統(tǒng)平面式MOSF
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  超級結(jié)  

          走過疑慮 SiC器件終迎春天

          • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來了春天。
          • 關(guān)鍵字: SiC  Cree  

          智能電網(wǎng)端口保護:這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

          •   今天,做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案,特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護設(shè)計,就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn):你需要有大牌的球(yuan)星(jian),還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù),去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少,但也有套路可尋,今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”,是怎么玩兒的?! ∧切┟餍窃 ∠葋砑?xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”,它們大多來自Bourns公司,每顆料都很有“料”。比如:  TBU高速
          • 關(guān)鍵字: 智能電網(wǎng)  MOSFET  

          1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

          • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然,要進行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
          • 關(guān)鍵字: 電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707  

          電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

          • 全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格,對于電源設(shè)計工程師,如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: 電源模塊性能  PCB布局技術(shù)  MOSFET  

          SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計

          • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
          • 關(guān)鍵字: SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案  
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          sic-mosfet介紹

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